[发明专利]一种光电二极管、X射线探测基板及其制作方法

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：具有多个陷光结构的N型硅层，设置于所述N型硅层上的I型硅层，以及设置于所述I型硅层上的P型硅层；其中，

在各所述陷光结构处的所述N型硅层、所述I型硅层和所述P型硅层构成径向结结构的PIN；

各所述陷光结构为圆柱状陷光结构；

各所述径向结结构为环状径向结结构，且呈周期性排布。

2.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，各所述陷光结构为凹陷结构；所述径向结结构为圆环状孔洞结构。

3.如权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述N型硅层中的各所述凹陷结构的深度为所述N型硅层中除各所述凹陷结构以外区域的厚度为

各所述凹陷结构的直径为每相邻两个所述凹陷结构之间的距离为

4.如权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述陷光结构为凸起结构；所述径向结结构为圆柱状凸起结构。

5.如权利要求4所述的光电二极管，其特征在于，所述N型硅层中的各所述凸起结构的高度为所述N型硅层中除各所述凸起结构以外区域的厚度为

各所述凸起结构的直径为每相邻两个所述凸起结构之间的距离为

6.如权利要求1-5任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述I型硅层的厚度为

7.如权利要求1-5任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述P型硅层的厚度为

8.一种X射线探测基板，其特征在于，包括：衬底基板，设置于所述衬底基板上的多个如权利要求1-7任一项所述的光电二极管，设置于所述衬底基板与所述光电二极管之间的多个薄膜晶体管，以及设置于所述光电二极管上的多个电流导出部件；

其中，各所述薄膜晶体管与各所述光电二极管一一对应，且所述光电二极管的N型硅层与对应的所述薄膜晶体管的漏电极连接；

各所述电流导出部件与各所述光电二极管一一对应，且所述光电二极管的P型硅层与对应的所述电流导出部件电连接。

9.如权利要求8所述的X射线探测基板，其特征在于，所述电流导出部件，具体包括：

设置于所述光电二极管上的第一透明电极层，依次设置于所述薄膜晶体管和所述第一透明电极层上的钝化层和平坦层，设置于所述平坦层上且通过贯穿所述钝化层和平坦层的接触孔与所述第一透明电极层电连接的第二透明电极层、设置于所述第二透明电极层上的导电金属层，设置于所述导电金属层上的保护层。

10.如权利要求9所述的X射线探测基板，其特征在于，所述N型硅层具有的各所述陷光结构为凹陷结构时，贯穿所述钝化层和平坦层的接触孔位于相邻的所述径向结结构之间。

11.如权利要求9所述的X射线探测基板，其特征在于，所述N型硅层具有的各所述陷光结构为凸起结构时，贯穿所述钝化层和平坦层的接触孔位于所述径向结结构之上。

12.一种如权利要求1-7任一项所述的光电二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在N型硅层的表面制作多个陷光结构；

在具有所述陷光结构的所述N型硅层上依次形成I型硅层和P型硅层；其中，

在各所述陷光结构处的所述N型硅层、所述I型硅层和所述P型硅层构成径向结结构的PIN。

13.一种如权利要求8-11任一项所述的X射线探测基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

在形成有所述薄膜晶体管的所述衬底基板上采用如权利要求12所述的制作方法形成与所述薄膜晶体管一一对应的光电二极管；

在所述光电二极管上形成与所述光电二极管一一对应的多个电流导出部件。