[发明专利]指纹识别传感器、指纹识别方法以及电子设备

权利要求书

1.一种指纹识别传感器，其特征在于，包括：

基板；

指纹感应器件，所述指纹感应器件设置在所述基板上，所述指纹感应器件为薄膜晶体管；以及

指纹识别光源，所述指纹识别光源被设置为发出的光能够照射到手指并产生反射光，所述反射光可照射到所述薄膜晶体管的有源区，

所述薄膜晶体管为关断状态下，所述薄膜晶体管的漏电流被设置为能够基于所述反射光而改变，用于形成所述薄膜晶体管的所述有源区的材料带隙宽度小于2eV，且用于形成所述有源区的材料对所述指纹识别光源所发出的光的吸收系数大于10⁵。

2.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，进一步包括：多个所述指纹感应器件，多个所述指纹感应器件均匀分布在所述基板上。

3.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管的所述有源区包括非晶硅、ITZO以及ITEO的至少之一。

4.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述指纹识别光源包括OLED，所述OLED与所述薄膜晶体管绝缘设置。

5.根据权利要求4所述的指纹识别传感器，其特征在于，所述OLED的阳极设置在所述薄膜晶体管的绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，进一步包括：

OLED驱动电路，所述OLED驱动电路与所述OLED的阳极相连，以便驱动所述OLED发光；以及

差分放大电路，所述差分放大电路与所述薄膜晶体管的漏极相连，以便对所述漏极的漏电流信号进行放大处理。

7.根据权利要求1所述的指纹识别传感器，其特征在于，在所述薄膜晶体管的关态电压下，所述手指的谷和脊所产生的所述反射光对应的所述漏电流之差，不低于3个数量级。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求1-7任一项所述的指纹识别传感器。

9.一种利用权利要求1-7任一项所述的指纹识别传感器进行指纹识别的方法，其特征在于，包括：

点亮指纹识别光源，以便所述指纹识别光源发出的光照射在手指上并进行反射；

利用所述指纹感应器件，基于所述手指的反射光产生感应信号，以便实现指纹识别，

所述感应信号为所述指纹感应器件的漏电流，所述手指的不同位置处的所述反射光的光强不同，所述漏电流依据所述反射光的光强变化。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述指纹的谷和脊处的所述反射光产生的所述漏电流之差，不低于三个数量级。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：利用差分放大电路，对所述漏电流进行放大。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述点亮指纹识别光源，是依靠与OLED的阳极相连的OLED驱动电路实现的。