[发明专利]有机膦酸类化合物的应用和掺铷钙钛矿太阳能电池薄膜及其制备方法

权利要求书

1.式(1)所示的有机膦酸类化合物在制备掺铷钙钛矿太阳能电池薄膜中的应用，

其中，所述式(1)所示的有机膦酸类化合物为选自以下化合物中的至少一种：

2.一种有机膦酸化合物修饰的掺铷钙钛矿太阳能电池薄膜，该薄膜中含有结构通式(B)_x(M)_1-xPbX₃的物质和权利要求1所述的应用中的式(1)所示的有机膦酸类化合物，

在(B)_x(M)_1-xPbX₃中，B为甲胺和/或甲脒，M为Rb或Rb/Cs，X为卤素，x大于0且小于1。

3.一种制备权利要求2所述的有机膦酸化合物修饰的掺铷钙钛矿太阳能电池薄膜的方法，包括：

(1)在溶剂存在下，将B源、M源与Pd源接触，得到第一混合物溶液，所述B源为甲胺的卤化盐和/或甲脒的卤化盐；

(2)将所述第一混合物溶液涂覆在基片上并且进行退火处理，形成第一薄膜；

(3)将含有所述式(1)所示的有机膦酸类化合物的溶液涂覆在所述第一薄膜上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在步骤(1)中，所述M源和所述Pd源的用量之和与所述B源的摩尔比为(0.3～3)：1。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在步骤(1)中，所述M源为Rb的卤盐或为Rb的卤盐与Cs的卤盐的二元混合物。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，B源、M源与Pd源接触的条件包括：温度为20～100℃，时间为4～24h。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，在步骤(2)中，所述基片为ITO基片。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述退火处理的条件包括：温度为80～150℃，时间为2～30min。

9.根据权利要求3所示的方法，其中，在步骤(3)中，含有所述式(1)所示的有机膦酸类化合物的溶液的用量使得由步骤(3)制备得到的薄膜中的有机膦酸类化合物的含量为0.1～10重量％。

10.根据权利要求3或9所示的方法，其中，在步骤(3)中，所述含有式(1)所示的有机膦酸类化合物的溶液中的溶剂为氯苯、甲苯、二氯苯、N,N-二甲基甲酰胺、二氯甲烷和三氯甲烷中的至少一种。