[发明专利]足浴盆

权利要求书

1.一种足浴盆，其特征在于，包括盆体，和设置于所述盆体内的制氢组件和电连接所述制氢组件的控制电路；所述制氢组件包括阴极片和阳极片，所述阴极片和阳极片不接触并且围成一电解区。

2.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括设置于所述阴极片和阳极片之间的透水绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片依次叠加设置。

4.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述阴极片为钛片。

5.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述阳极片为钛片。

6.根据权利要求2所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括底座和上盖，所述底座和上盖盖合以形成一容置所述阴极片、透水绝缘膜和阳极片的容置腔。

7.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述制氢组件还包括用以安装阴极片并且设置于所述电解区外的阴极安装片。

8.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，还包括设置于所述盆体内的气泡生成器。

9.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，所述盆体包括套接的外盆和内盆。

10.根据权利要求1所述的足浴盆，其特征在于，还包括设置于所述盆体内的温度传感器。