[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明的课题在于，提供晶片的加工方法，当在晶片内部进行形成改质层的激光加工时，能够防止在意图之外的部位产生碎裂现象。本发明的晶片的加工方法包含如下工序：搬送工序，通过搬送单元将晶片搬送到第2卡盘工作台上，将晶片的保护带侧保持在保持面上并使该搬送单元的吸引垫从晶片的背面离开；以及改质层形成工序，从晶片的背面照射激光而沿着分割预定线形成改质层。该搬送工序包含：载置工序，将晶片载置在该第2卡盘工作台的保持面上；夹持工序，将该吸引垫的吸引力阻断，利用该吸引垫和该保持面对晶片进行夹持；以及保持工序，使吸引力作用于该保持面而将晶片的保护带侧吸引保持在该保持面上并使该吸引垫从晶片的背面离开。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将激光光线的聚光点定位在晶片的内部而形成改质层并分割成各个器件芯片。

背景技术

通过切割装置、激光加工装置等将由分割预定线划分并在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件芯片，将分割得到的器件芯片应用于移动电话或个人计算机等电子设备中。

并且，提出了如下技术：当在晶片的正面上粘贴了保护带并对晶片的背面进行磨削而使其薄化之后，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光的聚光点定位在与分割预定线对应的内部而进行照射，沿着分割预定线形成作为分割起点的改质层(例如，参照专利文献1。)。

根据在上述专利文献1中公开的技术，与以往的通过切割装置等沿着分割预定线形成分割起点的情况相比，能够使分割预定线的宽度变窄，能够将由1张晶片制造出的器件芯片的数量设定得更多。

专利文献1：日本特许第3408805号公报

根据图9对上述以往的技术更具体地进行说明。如图示那样，准备由分割预定线130划分而在正面上形成有多个器件120的晶片100，在该晶片100的正面侧粘贴保护带110。然后，将该晶片100的保护带侧载置在激光加工装置6的卡盘工作台60上，从晶片100的背面侧借助聚光器72将对于晶片100具有透过性的波长的激光定位在与分割预定线130对应的内部而进行照射，沿着分割预定线130连续地形成作为分割起点的改质层140。

这里，本发明者发现存在如下问题：当在晶片内部进行形成改质层的激光加工时，有时在与形成有改质层的分割预定线不同的部位会产生晶片碎裂的现象(在图9中，以实线C表示。)，形成于晶片的正面的器件因该碎裂现象而局部破损，使该器件的生产效率显著降低。

根据上述问题点，本发明者对产生上述碎裂现象的原因进行了深入研究，其结果是，发现了以下内容。

搬送单元通过吸引垫对保持在磨削装置的卡盘工作台上的晶片进行吸引，将完成了对背面侧进行磨削的磨削工序的晶片从卡盘工作台搬出而搬送到下一个工序的形成改质层的位置。在对该晶片进行吸引时，该吸引垫的吸引力会使晶片内部产生不均匀的内部应力，当未充分释放该内部应力便直接将该晶片载置并吸引保持在接下来的工序的改质层形成工序中使用的卡盘工作台上时，因该吸引垫而产生的内部应力会局部地残留在晶片内部。并且，在接下来的在该晶片内部形成改质层的工序中，以对晶片照射激光为契机，所述的残留内部应力会使碎裂现象在意图之外的位置产生。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，当进行在晶片内部形成改质层的激光加工时，能够防止在意图之外的部位产生碎裂现象。