[发明专利]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Cryst-al Display,简称：TFT-LCD)的基本结构通常包括阵列基板(Array Substrate)和彩膜基板(Color Film Substrate，简称：CF substrate)，以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶(Liquid Crystal，简称：LC)，在阵列基板和彩膜基板的表面还设置有对液晶具有取向作用的配向膜层(Polyimide film，简称：PI film)，配向膜层的材料为聚酰亚胺。

现有技术中，为了实现像素的高开口率以达到降低背光功耗的目的，阵列基板中的公共电极设置的宽度往往较小，但该设置同时也导致了设置方向与数据线的设置方向相同的像素电极的一侧边缘和与该像素电极的一侧边缘对应设置的公共电极在阵列基板上的正投影的重叠部分的宽度较小，使得与数据线的设置方向相同的像素电极的一侧边缘和与该像素电极对应设置的公共电极之间产生的水平边缘电场强度增强。

但在较强的水平边缘电场强度和在该像素电极的一侧边缘附近的段差区域的影响的情况下，由于位于像素电极之上的配向膜层在该段差区域摩擦取向后的锚定力较弱，因此容易使得像素电极的一侧边缘附近容易出现显示残影的显示缺陷。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及显示装置，用于解决在像素电极的一侧边缘附近容易产生显示残影的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，该阵列基板包括第一衬底基板和位于所述第一衬底基板之上的公共电极、多个栅线和多个数据线；所述栅线和所述数据线限定出像素单元，所述像素单元包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管，所述像素电极的一侧边缘在所述第一衬底基板上的正投影与对应设置的公共电极在所述第一衬底基板上的正投影部分重叠，且重叠部分的宽度为第一设定宽度以使所述像素电极与所述公共电极之间产生的水平边缘电场的强度减弱。

可选地，所述第一设定宽度的范围为3微米至6微米。

可选地，所述第一设定宽度为4.5微米。

可选地，所述像素电极的与一侧边缘相对设置的另一侧边缘在所述第一衬底基板上的正投影和与另一侧边缘对应设置的公共电极在所述第一衬底基板上的正投影部分重叠，且重叠部分的宽度为第二设定宽度。

可选地，所述第二设定宽度的范围为1微米至6微米。

可选地，所述第二设定宽度为2微米。

可选地，所述第一设定宽度大于所述第二设定宽度。

可选地，与所述像素电极的一侧边缘对应设置的公共电极的宽度大于与所述像素电极的一侧边缘相对设置的另一侧边缘对应设置的公共电极的宽度。

可选地，所述与所述像素电极一侧边缘对应设置的公共电极沿所述数据线设置的方向设置，所述与所述像素电极另一侧边缘对应设置的公共电极沿所述数据线设置的方向设置。

为实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置，该显示基板包括相对设置的对置基板和上述的阵列基板。

本发明的有益效果：

本发明所提供的阵列基板及显示装置中，像素电极的一侧边缘在第一衬底基板上的正投影与对应设置的公共电极在第一衬底基板上的正投影部分重叠，且重叠部分的宽度为第一设定宽度，从而有效减弱了在摩擦取向弱区附近的像素电极与公共电极之间产生的水平边缘电场强度，避免了在像素电极的一侧边缘附近产生显示残影。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为图1中A-A’向剖面图；

图3为本实施例提供的阵列基板中配向膜层摩擦取向的摩擦方向示意图；

图4为本实施例提供的阵列基板的像素电极与公共电极在像素边缘产生的水平边缘电场的分布示意图；

图5为本实施例提供的阵列基板的像素电极与公共电极在像素边缘产生的水平边缘电场分布与现有技术中像素边缘的水平边缘电场的分布对比示意图；

图6为本发明实施例二提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的发光器件和显示装置进行详细描述。