[发明专利]具有电压自动调节功能的负电压产生电路

说明书

本发明提供一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路，包括负电压产生电路和反馈控制模块，通过反馈控制模块对负电压产生电路产生的负电压进行调节，本发明中的具有电压自动调节功能的负电压产生电路，可根据负载电流的大小，自动调节电荷泵充电电流大小，从而实现了输出电压的稳定，使传统的模拟电路结构在极低电源电压下也能正常工作，特别适用于深亚微米工艺，同时本发明还实现了输出电压的数字可调，不再输出单一的负电压，可根据实际需要调整所需要输出的负电压值。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种具有电压自动调节功能的负电压产生电路。

背景技术

在集成电路领域中，通常把0.35-0.8μm及其以下称为亚微米级，0.25um及其以下称为深亚微米，0.05um及其以下称为纳米级。目前，集成电路的主流生产工艺技术为0.010μm-0.028μm。随着CMOS工艺特征尺寸向着深亚微米(90nm以下)方面发展，芯片供电电压越来越低，甚至低于1V。在如此低的电源电压下，传统的模拟电路结构(如：运放、电流源)将不能正常工作。

为了使传统的模拟电路结构在极低电源电压下也能正常工作，在集成电路设计中开始采用负电压。但是通常CMOS芯片采用正电源电压供电，因此需要在芯片内部产生负电压。各种各样负电压产生电路也被相继进行研究，但是，目前现有技术中的负电压产生电路还存在着很大的问题，例如虽然能产生负电压，但是只能产生单一电平的负电压，并且产生的负电压易受负载电流变化的影响，波动较大，不能提供稳定的输出电压，因此，亟需一种新的技术手段，能够克服上述技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种有鉴于此，本发明提供一种指静脉识别方法及系统，以解决上述技术问题。

本发明提供的具有电压自动调节功能的负电压产生电路，包括：

负电压产生电路，用于产生负电压；

反馈控制模块，用于对负电压产生电路产生的负电压进行调节；

所述负电压产生电路至少包括：

第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第一反相器和第二反相器；

所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的源极连接，第二PMOS管的栅极与第一PMOS管的源极连接，第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极分别接地，第一PMOS管的衬底和第一PMOS管的衬底分别与电源连接；

所述第三NMOS管的栅极与第四NMOS管的源极连接，第三NMOS管的的栅极与第一NMOS管的源极连接，第三NMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第三NMOS管的衬底和第四NMOS管的衬底互相连接并与第三电容连接；

所述第一电容的下极板分别与第一PMOS管的源极和第三NMOS管的源极连接，第二电容的下极板分别与第二PMOS管的源极和第四NMOS管的源极连接，第一电容的上极板分别与第六NMOS管的漏极和第七PMOS管的漏极连接，第二电容的上极板分别与第七NMOS管的漏极和第八PMOS管的漏极连接；

第六NMOS管的栅极与第七PMOS管的栅极连接，其连接点与第二反相器的输出端连接，第七NMOS管的栅极与第八PMOS管的栅极连接，其连接点与第一反相器的输出端连接，第六NMOS管的源极和衬底接地，第七NMOS管的源极和衬底接地，第七PMOS管的源极和第八PMOS管的源极分别与第三PMOS管的漏极连接，第七PMOS管的衬底与电源连接，第八PMOS管的衬底与电源连接，第三PMOS管的源极和衬底与电源连接，第一反相器的输出端与第二反相器的输入端连接。

进一步，所述反馈控制模块包括：