[发明专利]基板处理系统和基板搬送方法

说明书

本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。基板处理系统具有在曝光前进行基板的背面清洗的功能，能够提高基板处理的成品率。涂敷显影处理系统的交接站(5)具有：在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的清洗单元(100)；在晶片搬入到曝光装置之前，对于清洗后的晶片的背面检查该晶片能否进行曝光的检查单元(101)；暂时收纳由检查单元(101)检查后的晶片的缓冲单元(111)；和晶片搬送机构(120，130)，其包括在各单元(100，101，111)之间搬送晶片的臂。

技术领域

本发明涉及进行基板处理的基板处理系统、基板处理系统中的基板处理方法。

背景技术

例如半导体器件的制造工序中的光刻工序中，依次进行在晶片上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理、对曝光的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等的一系列的处理，从而在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。这些一系列的处理在作为搭载有处理晶片的各种处理单元或输送晶片的输送单元等的基板处理系统的涂敷显影处理系统中进行。

如图32所示，例如，以往，涂敷显影处理系统300作为整体具有：用于从外部搬入搬出盒(cassette)C的载盒台(cassette station)301、正面和背面设置有进行抗蚀剂涂敷处理、显影处理以及热处理等的各种处理的多个处理单元的处理台302和在设置于涂敷显影处理系统300的外部的曝光装置A与处理系统302之间进行晶片的交接的交接交接台303。

但是，近年来，形成于晶片上的电路图案的精细化不断发展，曝光处理时的离焦裕度(defocus margin)更加严格。与此相伴，在曝光装置A中需要尽量不能掺入有颗粒(particle)。尤其是，晶片背面的颗粒成为问题。因此，与曝光装置A相邻的交接站303中，为了极力减少颗粒向曝光装置A的掺入，设置有对搬送到曝光装置A之前的晶片的背面进行清洗去除颗粒的晶片清洗单元310、检查清洗后的晶片的晶片检查单元311。另外，在交接站303中，设置有用于在各单元310、311之间交接晶片的交接单元312、在这些各单元310、311、312之间搬送晶片的晶片搬送装置313等(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-135583号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，如上述的涂敷显影处理系统300，当交接站303中设置有如晶片清洗单元310或晶片检查装置311这样的多个单元时，需要进行各单元之间的晶片的交接，因此，无法避免晶片的搬送次数的增加。

结果是，晶片搬送装置的控制变复杂，而且，由晶片搬送装置搬送的晶片的移动距离也变长，因此，晶片运送装置的负荷也提高。

另外，上述的涂敷显影处理系统300中，通过晶片检查单元311被判断为有异常的晶片越少，涂敷显影处理系统300的成品率就越提高。

通过本发明者们的验证可知，即使由晶片检查单元311被判断为有异常的晶片，也包括多个通过在晶片清洗单元310中再次清洗，成为能够搬入到曝光装置A的状态的晶片。

但是，在上述专利文献1的涂敷显影处理系统300中，被判断为有异常的晶片都被回收到盒站301，因此，不能提高成品率。

本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于，在具备在曝光前进行基板的背面清洗的功能的基板处理系统中，保证基板的背面的清洁性并且减少基板搬送的负荷，以及提高基板处理的成品率。

用于解决课题的技术方案