[发明专利]用于制备结构的方法

权利要求书

1.一种用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，该方法包括：

a)提供供体衬底(10)，所述供体衬底(10)包括正面(11)和背面(12)并且包括埋入停止层(2)和在所述供体衬底(10)的所述正面(11)与所述埋入停止层(2)之间的精细有源层(3)，所述精细有源层(3)具有第一厚度；

b)提供支撑衬底(20)；

c)在所述供体衬底的所述正面(11)上或者在所述支撑衬底(20)上形成中间层(30)；

d)组装所述供体衬底(10)和所述支撑衬底(20)，以便将所述中间层(30)设置在所述供体衬底和所述支撑衬底之间；

e)减薄所述供体衬底(10)的所述背面(12)，以便形成具有有用厚度的有用层(100)，该有用层(100)具有设置在所述中间层(30)上的第一面(11)和第二自由面(12’)；

f)在步骤e)之后，去除在所述结构(410，410’，410”，420，430)的第一区域(110)内的由所述有用层(100)的所述第二自由面(12’)和所述埋入停止层(2)界定的厚有源层(4)，当在所述第一区域(110)内执行了去除步骤时，所述埋入停止层(2)在所述结构(410)的整个范围内是连续的；

g)蚀刻所述埋入停止层(2)，从而所述有用层(100)在所述第一区域(110)内仅包括所述精细有源层(3)；

所述方法的特征在于，所述方法还包括：

·以第一图案(111)蚀刻所述第一区域(110)内的所述精细有源层(3)的所述第一厚度；

·以第二图案(121)蚀刻第二区域(120)内的所述有用层(100)的所述有用厚度；

·去除在所述结构的所述第一区域(110)和所述第二区域(120)的至少一部分内的所述中间层(30)，以便释放所述精细有源层(3)的至少一个膜(112)从而产生NEMS部件的悬置部分并且释放所述有用层(100)的至少一个膜(122)从而产生MEMS部件的悬置部分。

2.根据权利要求1所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述精细有源层(3)在所述供体衬底(10)的整个范围内是连续的。

3.根据权利要求1所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述精细有源层(3)在所述供体衬底(10)的整个范围内是不连续的。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述有用厚度大于3微米。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述第一厚度小于所述有用厚度的20％。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述第一厚度小于1微米。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述埋入停止层(2)通过离子注入形成。

8.根据权利要求7所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，注入的物质选自氢、氦、氩、硼、氧、氮和碳。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的用于制备结构(410，410’，410”，420，430)的方法，其中，所述供体衬底(10)通过以下步骤产生：

·在初始衬底(1)的正面上形成化学成分或者晶体结构不同于所述供体衬底(10 )的层，从而形成所述埋入停止层(2)；

·在所述埋入停止层(2)上形成具有可控厚度的精细有源层(3)。