[发明专利]具有用于抑制假信号响应的吸收层的复合表面声波SAW装置

权利要求书

1.一种表面声波SAW装置，其包括：

基底衬底，其包括硅或蓝宝石；

声波吸收层，其安置于所述基底衬底上；

压电材料层，其安置于所述声波吸收层上，所述压电材料层包括LiNbO3或LiTaO3；及

至少一个叉指电极对，其安置于所述压电材料层上，所述至少一个叉指电极对包括导电材料；

未经掺杂的硅玻璃USG层，所述USG层安置于所述至少一个叉指电极对与所述压电材料层之间；或安置于所述至少一个叉指电极对及所述压电材料层上，

其中所述声波吸收层包括一种材料，所述材料具有在所述声波吸收层内大体上俘获在从所述压电材料层到所述基底衬底的方向上传播的声波的性质。

2.根据权利要求1所述的SAW装置，其中所述压电材料层具有第一剪切速度，且所述基底衬底具有第二剪切速度，且所述声波吸收层具有小于所述第一剪切速度且小于所述第二剪切速度的第三剪切速度。

3.根据权利要求1所述的SAW装置，其中所述声波吸收层包括电介质层。

4.根据权利要求1所述的SAW装置，其中所述声波吸收层包括硅低k树脂及掺杂碳的氧化硅中的至少一者。

5.根据权利要求1所述的SAW装置，其中所述基底衬底包括硅基底衬底或蓝宝石基底衬底中的一者。

6.根据权利要求1所述的SAW装置，其进一步包括温度补偿材料层，所述温度补偿材料层安置于所述至少一个叉指电极对与所述压电材料层之间，或安置于所述至少一个叉指电极对及所述压电材料层上。

7.一种表面声波SAW装置，其包括：

基底衬底；

压电材料层；

至少一个叉指电极对，其安置于所述压电材料层上；以及

声波抑制层，其安置于所述压电材料层与所述基底衬底之间，所述声波抑制层为掺杂有杂质的经掺杂的压电材料层，所述杂质对在从所述压电材料层到所述基底衬底的方向上传播的表面声波造成粘滞损失，其中所述声波抑制层经配置以抑制在从所述压电材料层到所述基底衬底的方向上传播的声波。

8.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述杂质包括氢或氧。

9.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述压电材料层具有第一剪切速度，且所述基底衬底具有第二剪切速度，且所述声波抑制层具有小于所述第一剪切速度且小于所述第二剪切速度的第三剪切速度。

10.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述基底衬底包括硅基底衬底或蓝宝石基底衬底中的一者。

11.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述压电材料层包括LiNbO3或LiTaO3中的一者。

12.根据权利要求7所述的SAW装置，其进一步包括温度补偿材料层，所述温度补偿材料层安置于所述至少一个叉指电极对与所述压电材料层之间，或安置于所述至少一个叉指电极对及所述压电材料层上。

13.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述声波抑制层包括电介质层。

14.根据权利要求7所述的SAW装置，其中所述声波抑制层包括硅低k树脂及掺杂碳的氧化硅中的至少一者。