[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层，其中，所述第一像素电极膜层位于所述阵列基板的钝化层上，沉积所述第一像素电极膜层时不添加水汽；所述第二像素电极膜层位于所述第一像素电极膜层上；

对所述第一像素电极膜层和所述第二像素电极膜层进行刻蚀，形成第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极共同构成像素电极，所述第一像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接；

所述第一像素电极膜层为铟锌氧化物第一像素电极膜层，且氧化铟占铟锌氧化物的质量百分数为86％～96％；或者，所述第一像素电极膜层为铟锡氧化物第一像素电极膜层；

所述第二像素电极膜层为铟锡氧化物第二像素电极膜层；

所述第一像素电极膜层的厚度为

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二像素电极膜层的厚度为

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，采用溅射镀膜工艺沉积所述第一像素电极膜层，其中，功率密度为3kw/m²～30kw/m²，气压为0.1Pa～1.0Pa，情性气体流量为40sccm～300sccm，温度为25℃～100℃；

采用溅射镀膜工艺沉积所述第二像素电极膜层，其中，功率密度为3kw/m²～30kw/m²，气压为0.1Pa～1.0Pa，惰性气体流量为40sccm～300sccm，温度为25℃～100℃，水汽流量为0sccm～10sccm；

在所述沉积第一像素电极膜层和第二像素电极膜层之前，所述阵列基板的制造方法还包括：

对形成有所述薄膜晶体管和所述钝化层的衬底基板进行清洗；对经清洗后的所述衬底基板进行烘干。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管、钝化层和像素电极，其中，所述钝化层位于所述薄膜晶体管上；所述像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极位于所述钝化层上，且所述第一像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，沉积经刻蚀后形成第一像素电极的第一像素电极膜层时不添加水汽，所述第二像素电极位于所述第一像素电极上；所述第一像素电极的材料为铟锡氧化物；或者，所述第一像素电极的材料为铟锌氧化物，且氧化铟占铟锌氧化物的质量百分数为86％～96％；所述第二像素电极的材料为铟锡氧化物；所述第一像素电极的厚度为

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

沉积像素电极膜层，所述像素电极膜层位于所述阵列基板的钝化层上，沉积所述像素电极膜层时不添加水汽；

对所述像素电极膜层进行刻蚀，形成像素电极，所述像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述阵列基板的薄膜晶体管的漏极连接；

所述像素电极膜层为铟锌氧化物像素电极膜层，且氧化铟占铟锌氧化物的质量百分数为86％～96％。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括薄膜晶体管、钝化层和像素电极，其中，所述钝化层位于所述薄膜晶体管上；所述像素电极位于所述钝化层上，且所述像素电极通过所述钝化层内的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接，沉积经刻蚀后形成所述像素电极的像素电极膜层时不添加水汽；所述像素电极的材料为铟锌氧化物，且氧化铟占铟锌氧化物的质量百分数为86％～96％。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求4或权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7所述的显示面板。