[发明专利]半透明钙钛矿太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.半透明钙钛矿太阳能电池，其特征在于，电池由两层ITO导电玻璃以及夹在ITO导电玻璃之间的P型层、CH₃NH₃PbI₃吸光层和N层组成，所述的P型层为polyTPD、PEDOT:PSS、NiO、CuI中的一种，所述的N型层为TiO₂、ZnO、SnO₂中的一种，所述的CH₃NH₃PbI₃吸光层为半透明结构，厚度在50-200 nm。

2.如权利要求1所述的半透明钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，器件的制备包括步骤：

s1、在一块ITO导电玻璃上依次沉积P型层和PbI₂，获得模块1，其中PbI₂厚度在50-100 nm；

s2、在另一块导电玻璃上依次沉积N型层和CH₃NH₃I，获得模块2；

s3、模块1和模块2的PbI₂面与CH₃NH₃I面相向贴合，并用夹具将模块1和模块2上下夹紧固定；

s4、加热退火，完成器件制备。

3.如权利要求2所述的半透明钙钛矿太阳能电池的制造方法，其特征在于，s1步骤中模块1的制备包括步骤：

(1) ITO导电玻璃清洗；

(2) 在ITO导电玻璃上生长一层P型层，P型层厚度在10-50 nm；

(3) 在P型层上沉积PbI₂层：使用真空热蒸镀的方法沉积PbI₂层；真空镀膜机中，10^-4 Pa真空条件下，通过热蒸发的方法在P型层上生长一层PbI₂层，PbI₂沉积速率控制在0.05-0.1 nm/s，沉积厚度为50-100 nm,蒸发速率和膜厚使用石英晶振片进行监控。

4.如权利要求2所述的半透明钙钛矿太阳能电池的制造方法，其特征在于，s2步骤中模块2的制备包括步骤：

(1) ITO导电玻璃清洗；

(2) 在ITO导电玻璃上生长一层N型层，N型层厚度在20-50 nm；

(3) 在N型层上沉积一层CH₃NH₃I：配置CH₃NH₃I的前驱体溶液，使用的溶剂为二甲基甲酰胺(DMF)或者二甲基亚砜(DMSO)中的一种，溶液浓度为1-3 M；手套箱惰性气体保护下，使用匀胶机旋转涂覆CH₃NH₃I的前驱体溶液，转速为低俗500 rpm，时间5秒，高速1000-3000 rpm，时间30-50秒；

如权利要求2所述的半透明钙钛矿太阳能电池制造方法，其特征在于，步骤s3和步骤s4包括：将模块1和模块2的PbI2面与CH₃NH₃I在手套箱中相向贴合，用夹具固定后，放在加热板上退火，促进PbI₂和CH₃NH₃I₃的相互扩散，形成质地均匀的钙钛矿薄膜，并完成器件的制作；所述的加热退火温度为90-110℃，退火时间为30-120分钟。