[发明专利]具有高带宽和电源抑制的低泄漏低压差稳压器有效
申请号: | 201710258753.6 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN108664067B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | K·K·特亚吉;N·古普塔 | 申请(专利权)人: | 意法半导体国际有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张昊 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 宽和 电源 抑制 泄漏 低压 稳压器 | ||
1.一种电子设备,包括:
低压差稳压器,所述低压差稳压器在中间节点处产生输出;
电阻式分压器,所述电阻式分压器耦合在所述中间节点与地之间;
其中,所述低压差稳压器从所述电阻式分压器的抽头节点接收反馈信号;
晶体管,所述晶体管具有耦合至所述中间节点的第一导电端子、耦合至输出节点的第二导电端子、以及控制端子;
第一阻抗,所述第一阻抗耦合至所述输出节点;
第一开关,所述第一开关被配置成用于选择性地将所述第一阻抗耦合至电源节点;
第二阻抗,所述第二阻抗耦合至所述输出节点;以及
第二开关,所述第二开关被配置成用于选择性地将所述第二阻抗耦合至接地节点。
2.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述晶体管包括低压薄栅氧化物晶体管。
3.如权利要求1所述的电子设备,进一步包括:
控制电路,所述控制电路耦合至所述晶体管的所述控制端子并且耦合至所述第一开关和所述第二开关的控制端子,所述控制电路被配置成用于通过以下方式将所述电子设备切换至断电模式:
关断晶体管;
闭合所述第一开关和所述第二开关;以及
关断所述低压差稳压器。
4.如权利要求3所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述断电模式时,所述控制电路在关断所述晶体管之前闭合所述第一开关和所述第二开关。
5.如权利要求3所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述断电模式时,所述控制电路在闭合所述第一开关和所述第二开关之前关断所述晶体管。
6.如权利要求3所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述断电模式时,所述控制电路同时地闭合所述第一开关和所述第二开关并且关断所述晶体管。
7.如权利要求3所述的电子设备,其中,所述控制电路被配置成用于通过以下方式将所述电子设备切换至通电模式:
接通所述低压差稳压器;
打开所述第一开关和所述第二开关;以及
接通所述晶体管。
8.如权利要求7所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述通电模式时,所述控制电路在接通所述晶体管之前打开所述第一开关和所述第二开关。
9.如权利要求7所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述通电模式时,所述控制电路在打开所述第一开关和所述第二开关之前接通所述晶体管。
10.如权利要求7所述的电子设备,其中,当将所述电子设备切换至所述通电模式时,所述控制电路同时地打开所述第一开关和所述第二开关并且接通所述晶体管。
11.如权利要求3所述的电子设备,其中,所述低压差稳压器包括:
放大器,所述放大器接收参考信号和所述反馈信号作为输入,并且基于两者之差生成输出;
第四开关,所述第四开关耦合在所述放大器的输出端子与所述电源节点之间;
晶体管,所述晶体管具有耦合至所述电源节点的第一导电端子、耦合至所述中间节点的第二导电端子、以及由所述放大器的所述输出进行偏置的控制端子;
第三开关,所述第三开关耦合在所述电源节点与所述低压差稳压器的所述晶体管的所述第二导电端子之间。
12.如权利要求11所述的电子设备,其中,所述控制电路通过闭合所述第三和第四开关并且关断所述放大器来关断所述低压差稳压器。
13.如权利要求11所述的电子设备,其中,所述控制电路被配置成用于通过以下方式将所述电子设备切换至通电模式:
打开所述第三和第四开关;
接通所述低压差稳压器;
打开所述第一开关和所述第二开关;以及
接通所述晶体管。
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