[发明专利]一种低温多晶硅背板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201710261127.2 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107046042B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 袁丽君;姚星;王志冲;韩明夫;郑皓亮;商广良;韩承佑;金志河 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低温 多晶 背板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种低温多晶硅背板,包括:设置在衬底基板上的低温多晶硅薄膜晶体管,以及,位于所述衬底基板和所述低温多晶硅薄膜晶体管之间的遮光层,其特征在于,所述遮光层包括非晶硅遮光层和位于所述衬底基板与所述非晶硅遮光层之间的蓝光透光层,所述蓝光透光层用于,将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅背板,其特征在于,所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅背板,其特征在于,所述蓝光透光层由蓝光量子点材料制成,或者,采用蓝色滤光片制成。
4.如权利要求1至3任一所述的低温多晶硅背板,其特征在于,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括:有源层、源/漏极、栅极、以及位于所述有源层和所述栅极之间的栅极绝缘层;所述非晶硅遮光层与所述有源层在所述衬底基板上的正投影一致。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至4任一所述的低温多晶硅背板。
6.一种低温多晶硅背板制造方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成遮光层,所述遮光层包括非晶硅遮光层和蓝光透光层;在所述衬底基板上形成遮光层包括:在所述衬底基板上形成蓝光透光层;所述蓝光透光层用于,将入射至所述蓝光透光层的光转变为蓝光后输出至所述非晶硅遮光层;在所述蓝光透光层上形成所述非晶硅遮光层;
在所述非晶硅遮光层上形成低温多晶硅薄膜晶体管。
7.如权利要求6所述的低温多晶硅背板制造方法,其特征在于,
所述蓝光透光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影。
8.如权利要求6所述的低温多晶硅背板制造方法,其特征在于,所述蓝光透光层由蓝光量子点材料制成,或者,采用蓝色滤光片制成。
9.如权利要求6至8任一所述的低温多晶硅背板制造方法,其特征在于,所述在所述非晶硅遮光层上形成低温多晶硅薄膜晶体管包括:
在所述非晶硅遮光层上形成有源层、源/漏极、栅极绝缘层、栅极;
其中,所述有源层与所述非晶硅遮光层在所述衬底基板上的正投影一致。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的