[发明专利]一种实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法

权利要求书

1.一种实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于，其工艺步骤如下：

a)在蓝宝石衬底上制备一层形状为纳米花的ZnO薄膜，作为GaTe生长过程中的种子层；所述蓝宝石衬底为退过火的蓝宝石衬底；具体退火工序包括：

将清洗干净的蓝宝石衬底直接放入双温区化学气相沉积炉管中，炉管直径6英寸，抽真空至2.7Pa，然后通入纯度为5N，流量为1000sccm的高纯氩气至常压状态，洗气30分钟，然后在氩气流量为100sccm的氛围、炉管真空度为常压的状态下加热60分钟至1000℃，退火1min，自然降温至常温，完成对蓝宝石衬底的退火工序；

b)将准备好的前驱体样品放入管式炉中，在常压、高纯氩气的环境中制备p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花。

2.如权利要求1所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于：步骤a)中，所述蓝宝石衬底为按照标准清洗工艺清洗的蓝宝石衬底；具体工艺清洗步骤包括：

a1)将1×1cm大小，厚度为0.5mm，表面平整度为0.2nm的蓝宝石衬底放入装有50毫升乙醇的烧杯中，进行超声清洗15分钟，取出用氮气枪吹干；

a2)将吹干的蓝宝石衬底放入另外一个装有50毫升丙酮的烧杯中，进行超声清洗15分钟，取出用氮气枪吹干；

a3)将吹干的蓝宝石衬底放入100毫升的去离子水中，进行超声清洗10分钟，取出用氮气枪吹干。

3.如权利要求1所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于：

步骤a)中，所述的一层ZnO带有纳米花形状的薄膜种子层厚度在1-10nm,且种子层为在蓝宝石衬底上使用化学气相沉积的方法沉积。

4.如权利要求3所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于：

CVD沉积方法的合成条件特征为：生长源：30-70毫克锌粉，锌粉纯度为5 N，粒径为600目；气流条件：150-300sccm的氩气氧气混合气作为载气，氩气氧气比例为99:1；合成温度条件：700-850℃；生长时间：10-60分钟；真空度：5-10 Pa。

5.如权利要求1所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于：

步骤b)中，所述的高纯氩气纯度在99.999％(5N)。

6.如权利要求1所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法，其特征在于：

步骤b)中，所述p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花制备条件为：

GaTe粉末源：50-100毫克GaTe粉末，GaTe粉末纯度为4N，粒径为60目；气流条件：100-200sccm的纯度为5N的高纯氩气作为载气；合成温度条件：700-750℃；生长时间：30-90分钟；真空度：1-5Pa。

7.权利要求1-6中任一项所述的实现p型层状碲化镓纳米片自组装纳米花的可控制备方法制备的GaTe/ZnO异质结纳米花。

8.权利要求7所述的GaTe/ZnO异质结纳米花对水进行光电全水解中的应用。