[发明专利]一种像素结构和阵列基板

权利要求书

1.一种像素结构，包括呈阵列排布的第一像素单元、第二像素单元和第三像素单元，每一像素单元包括像素电极，其特征在于，还包括：分别设置在每一列像素单元两侧的数据线，且每一像素电极与该像素电极两侧的数据线之间形成的耦合电容分别相等；其中，

第一像素单元中的像素电极与该像素电极两侧的数据线之间形成的耦合电容为C1，所述第二像素单元中的像素电极与像素电极两侧的数据线之间形成的耦合电容为C2，所述第三像素单元中的像素电极与该像素电极两侧的数据线之间形成的耦合电容为C3，所述C1、C2和C3满足关系：

C1：C2：C3＝1/L1：1/L2：1/L3；

其中，L1为所述第一像素单元的像素透过率，L2为所述第二像素单元的像素透过率，L3为所述第三像素单元的像素透过率。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一像素单元为红色像素单元，所述第二像素单元为绿色像素单元，所述第三像素单元为蓝色像素单元。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，C3＞C1＞C2。

4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：与每一像素电极一一对应的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括同层设置的源电极和漏电极，每一像素电极与该像素电极对应的薄膜晶体管的漏电极电连接，每一数据线与薄膜晶体管的源电极电连接。

5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，

不同颜色的像素单元中，漏电极的面积不同。

6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，

所述蓝色像素单元中的漏电极的面积最大；

所述绿色像素单元中的漏电极的面积最小。

7.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，

相同颜色的像素单元中，所述漏电极与相邻的源电极之间的距离相等，且不同颜色的像素单元中，所述漏电极与相邻的源电极之间的距离不等。

8.根据权利要求7所述的像素结构，其特征在于，

所述蓝色像素单元中的漏电极与相邻的源电极之间的距离最小；

所述绿色像素单元中的漏电极与相邻的源电极之间的距离最大。

9.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，

所述蓝色像素单元中的漏电极的面积最大，且该漏电极与相邻的源电极之间的距离最小；

所述绿色像素单元中的漏电极的面积最小，且该漏电极与相邻的源电极之间的距离最大。

10.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括：设置在所述像素电极所在膜层与所述源电极所在膜层之间的绝缘层，其中，每一像素电极通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述漏电极电连接，所述数据线通过贯穿所述绝缘层的第二过孔与所述源电极电连接。

11.根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，

不同颜色的像素单元中，所述第一过孔与所述第二过孔之间的距离不相等。

12.根据权利要求11所述的像素结构，其特征在于，

所述蓝色像素单元中的所述第一过孔与所述第二过孔之间的距离最小；

所述绿色像素单元中的所述第一过孔与所述第二过孔之间的距离最大。

13.根据权利要求10所述的像素结构，其特征在于，

相同颜色的像素单元中，所述第一过孔和所述第二过孔的孔深相等，且不同颜色的像素单元中，所述第一过孔和所述第二过孔的孔深不相等。

14.根据权利要求13所述的像素结构，其特征在于，

所述蓝色像素单元中的所述第一过孔和所述第二过孔的孔深最大；

所述绿色像素单元中的所述第一过孔和所述第二过孔的孔深最小。