[发明专利]一种QLED器件及制备方法

说明书

本发明公开一种QLED器件及制备方法，方法包括步骤：在含有阳极的基板上沉积空穴注入层；在空穴注入层上沉积空穴传输层；在空穴传输层上沉积量子点发光层；在量子点发光层上沉积电子传输层；在电子传输层上沉积Al₂O₃薄膜；在Al₂O₃薄膜上蒸镀阴极，得到QLED器件。本发明在电子传输层与阴极之间引入一层Al₂O₃薄膜，可以增大从阴极注入的电子势垒，调节量子点发光层的载流子平衡；并且由于引入的Al₂O₃和阴极的紧密结合，提高了阴极与器件旋涂层的致密性；另外，致密的Al₂O₃薄膜，阻止阴极离子扩散到器件内部，同时也隔绝了水和氧侵入器件内部，大大提高了器件寿命。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件及制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。量子点发光二极管色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，使得其在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中，载流子的注入不平衡是影响QLED的器件效率的一个主要原因, 即空穴注入效率相比电子注入效率普遍偏低，导致量子点中注入电荷不平衡，量子点呈现非电中性。另外器件寿命还不能满足商业化需求，即使采用了当下最先进的封装技术，仍会有水和氧侵入器件内部，降低其寿命。

因此，如何有效获得载流子注入平衡以及提高对器件内部的防护，是提高QLED发光效率和寿命的重要研究方向。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及制备方法，旨在解决现有QLED器件的发光效率低和寿命的问题。

本发明的技术方案如下：

一种QLED器件的制备方法，其中，包括：

步骤A、在含有阳极的基板上沉积空穴注入层；

步骤B、在空穴注入层上沉积空穴传输层；

步骤C、在空穴传输层上沉积量子点发光层；

步骤D、在量子点发光层上沉积电子传输层；

步骤E、在电子传输层上沉积Al₂O₃薄膜；

步骤F、在Al₂O₃薄膜上蒸镀阴极，得到QLED器件。

所述的QLED器件的制备方法，其中，步骤E具体包括：在电子传输层上旋涂Al₂O₃前驱体溶液，然后在100-200℃下加热5-15min，得到Al₂O₃薄膜。

所述的QLED器件的制备方法，其中，所述Al₂O₃前驱体溶液的制备方法包括步骤：

首先将无水氯化铝和过量的无水冰醋酸混合并搅拌，在80-120℃下加热充分反应后得到半透明的白色胶体，接着通过离心得到醋酸铝胶体；

然后将醋酸铝胶体溶于乙二醇单甲醚和乙醇胺中，并充分搅拌0.5-1.5小时，得到Al₂O₃前驱体溶液。