[发明专利]一种纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法及其导电膜有效

专利信息
申请号: 201710262716.2 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN106992031B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 刘刚;杨卫卫;赵钦培;韩莹莹 申请(专利权)人: 青岛元盛光电科技股份有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/04;H01B1/02;B82Y30/00
代理公司: 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 代理人: 蒋遥明
地址: 266000 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 石墨 烯涂布 导电 制作方法 及其
【权利要求书】:

1.一种纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,工艺步骤包括:

①制备还原氧化石墨烯分散液,②调节还原氧化石墨烯分散液的浓度和黏度,按配比依次混入纳米银线和高分子导电聚合物,混匀分散得到石墨烯涂布液,③将石墨烯涂布液利用狭缝涂布装置,涂布至基质上,④通过紫外光照或热风干燥固化;

在步骤②中,所述还原氧化石墨烯分散液黏度调节为(1000-3000)Pa·s,所述还原氧化石墨烯涂布液质量配比组成为,石墨烯:纳米银:高分子导电聚合物=(65-70):(15.3-19.8):(6.2-11.7);

在步骤③中,通过狭缝涂布装置对石墨烯涂布液进行挤出后刮涂至基质上,刮涂速率为(5-15)m/min,所述狭缝涂布装置狭缝宽度为10um;

其中,石墨烯涂布液黏度越大,所得石墨烯涂布导电膜电阻越小。

2.根据权利要求1所述的纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,在步骤①中,所述还原氧化石墨烯通过修正的Hummers法进行制备。

3.根据权利要求2所述的纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,石墨烯制备方法包括:(1)石墨经强酸与高锰酸钾氧化制备氧化石墨;(2)氧化石墨经片层剥离为氧化石墨烯;(3)氧化石墨烯利用水合肼还原制备为还原氧化石墨烯。

4.根据权利要求3所述的纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,所述片层剥离方法为溶液水浴超声剥离。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,所述石墨烯涂布液中石墨烯的浓度为0.01-10mg/ml;所述石墨烯分散液中石墨烯的直径为0.5-10μm。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的纳米银线石墨烯涂布导电膜的制作方法,其特征在于,所述石墨烯涂布液中纳米银线浓度为0.01-3mg/ml;所述纳米银线的直径为20-35nm,长度为6-10um;

所述高分子导电聚合物为聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠溶液。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述制作方法制备得到的石墨烯导电膜,其特征在于,透光率大于95%,片电阻小于0.05Ω/□。

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