[发明专利]湿法蚀刻设备及湿法蚀刻方法有效
申请号: | 201710262995.2 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN106992136B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 夏青林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 蚀刻 设备 方法 | ||
1.一种湿法蚀刻设备,其特征在于,包括用于传送基板(50)的传送装置(10)、及多个设于所述传送装置(10)上方用于向基板(50)表面喷淋蚀刻液的喷淋管(21);
所述传送装置(10)具有用于承载基板(50)的承载面,设所述传送装置(10)对基板(50)传送的方向为第一方向(X),与所述第一方向(X)垂直且与所述传送装置(10)的承载面平行的方向为第二方向(Y),所述传送装置(10)的承载面在沿第二方向(Y)上相对于水平面逐渐升高而呈倾斜状,从而对基板(50)进行倾斜式传送;
所述传送装置(10)的承载面划分为沿第二方向(Y)排列的第一至第N区域,其中N为大于1的自然数,所述多个喷淋管(21)在第一至第N区域的上方对应划分为第一至第N组,所述多个喷淋管(21)与所述承载面之间的高度在由第一至第N组逐渐降低,从而使基板(50)在第一区域至第N区域上所受到的喷淋压力不同;
在对基板(50)表面喷淋蚀刻液的过程中,每一喷淋管(21)均在基板(50)的上方来回转动;
还包括分别与所述第一至第N组喷淋管(21)相连接的用于传送蚀刻液的N个进液管(22);
每一进液管(22)上均设有一个控制阀(221),用于对蚀刻液的流量进行控制;
每一喷淋管(21)的轴向方向均平行于所述第一方向(X);
每一喷淋管(21)上均设有沿其轴向方向排列的多个喷嘴(211),每一喷淋管(21)均通过其上的多个喷嘴(211)向基板(50)表面喷淋蚀刻液。
2.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备,其特征在于,所述传送装置(10)的承载面划分为沿第二方向(Y)排列的第一至第三区域,所述多个喷淋管(21)在第一至第三区域的上方对应划分为第一至第三组。
3.如权利要求1所述的湿法蚀刻设备,其特征在于,所述传送装置(10)的承载面相对于水平面倾斜3-7°。
4.一种湿法蚀刻方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1、提供如权利要求1所述的湿法蚀刻设备、及待蚀刻的基板(50),开启所述湿法蚀刻设备;
步骤S2、将所述基板(50)放置于传送装置(10)的承载面上,所述基板(50)在传送装置(10)的带动下向前移动并相对于水平面呈倾斜状,所述多个喷淋管(21)在基板(50)移动过程中对其下方的基板(50)喷淋蚀刻液,由于所述多个喷淋管(21)与基板(50)之间的高度在由第一至第N组逐渐降低,基板(50)在第一区域至第N区域上所受到的喷淋压力不同。
5.如权利要求4所述的湿法蚀刻方法,其特征在于,所述湿法蚀刻设备还包括分别与所述第一至第N组喷淋管(21)相连接的用于传送蚀刻液的N个进液管(22),其中,每一进液管(22)上均设有一个控制阀(221),用于对蚀刻液的流量进行控制;
所述步骤S2还包括,通过每一进液管(22)上的控制阀调整第一至第N组喷淋管(21)中的蚀刻液的流量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造