[发明专利]一种发光二极管的芯片结构以及灯具在审
申请号: | 201710263221.1 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN107086261A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 尹宁宁;肖伊茜;肖伊一 | 申请(专利权)人: | 蒋雪娇 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/24;H05B33/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 441000 湖北省襄樊市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 芯片 结构 以及 灯具 | ||
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管的芯片结构,以及利用该发光二极管制作的灯具。
背景技术
随着LED的不断推广,发光二极管应用在各种各样的领域;现有的发光二极管,如图1所示,在衬底1的表面依序沉积n型半导体层2、发光层5以及P型半导体层6;蚀刻部分区域的发光层5和P型半导体层6,形成蚀刻孔并使得部分n型半导体层2外漏,在外漏的n型半导体层2上依次层级n极接触层3以及n极电极层4;其次,在P型半导体层6上依次沉积P极接触层7以及P极电极层8;由于P极电极层和n极电极层设置在两侧,在使用时,电流在传输过程中,靠近蚀刻孔的地方电流较为密集;电流较大导致发热量较大,从而增大该区域非辐射复合的几率,降低发光二极管的发光效率。
发明内容
本发明的目的在于解决现有技术中的不足,提供一种发光二极管芯片结构,该发光二极管的光利用率高。
本发明的另一目的在于,提供一种光利用率高的灯具。
本发明采用的技术方案为:
一种发光二极管的芯片结构,包括衬底,衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层,所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露,形成外漏部;n型半导体的外露部依次沉积有n极接触层和n极电极层;位于环形槽外的发光层表面依次沉积有P型半导体层和P极接触层,P极接触层表面沉积有环形的P极电极层。
优选地,环形槽的半径为衬底半径的1/3~1/2。更优选为:2/5。
再进一步地,环形槽的横截面呈倒锥形。
优选地,环形槽的两侧设有n型绝缘层。
一种灯具,包括:
光源;光源包括PCB板,PCB板设有至少一个上述的发光二极管;
底座,其中部设有用于安装光源的灯座;
用于盛装透明介质且透明的容器,容器的上端开口,容器的下端呈环形设置且中部形成有用于容置光源的容置空间;且容器的内侧壁为能够根据内部压强调整伸缩的柔性壁;
盖体,与容器的上端密封连接,且盖体可相对容器上下移动。
本技术方案中,将容器作为透镜和灯罩的结合体,且容器在使用时,可通过调整盖体在容器的位置,从而调整容器内部压强,进而改变内侧壁的形状,从而达到调整光线的效果。
优选地,所述盖体的内底面向容器方向延伸出内筒,内筒套于容器外部或内部;且内筒与容器的接触面设有密封胶圈;盖体的下端与容器螺纹连接。
盖体通过内筒与容器套接,在连接时,通过密封胶圈进行密封;同时盖体的下端与容器螺纹连接,方便调整盖体相对容器的位置。
优选地,所述内筒套于容器内,内筒的下端连接有封盖,封盖设有网孔。
设置封盖后,内筒内部可盛装物品;如当需要放置调剂,如茶叶、罗汉果等。同时不会对容器造成影响。
优选地,容器的下端连接有至少一个阀门。
目前很多容器在加热水后,都需要倾倒出来,设置阀门后,无需倾倒;直接打开阀门即可使用。
优选地,容器的下端连接有至少一个水龙头。
进一步地,底座的上端设有与容器下端相配合的环形围栏。
当容器放置于底座上时,环形围栏套于容器外部并与容器的外侧面间隙配合。
进一步地,盖体的上端设有用于控制内筒空间与外部连通的气阀。
设置气阀,可以方便调整容器内部压强。
再进一步地,盖体的上端设有进水孔,进水孔设有堵头。
设置进水孔后,可以直接通过盖体向容器加水。加完水后用堵头将进水孔密封。
进一步地,容器的外侧面设有提手,提手与容器吸附连接。
提手与容器通过吸附连接,这样提手在不使用时,可以从容器上拆卸。不影响灯具使用。
进一步地,容器的外侧面设有防滑纹。
优选地,容器外侧面呈管状;在外侧面设有防滑纹,以方便手搬运容器。
进一步地,PCB板设有用于控制灯具工作的恒流电路,其包括:
整流电路,用于将市电转为直流电;
PFC电路;PFC电路与整流电路的输出端信号连接;
负载输出电路;
电源电路;
变压器T1;PFC电路通过变压器T1分别与负载输出电路、电源电路耦合;
电源电路连接有光耦N3的发光器,光耦N3的受光器设置于PFC电路中,电源电路通过光耦N3向PFC电路输出反馈信号;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蒋雪娇,未经蒋雪娇许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710263221.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。