[发明专利]一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法有效
| 申请号： | 201710265058.2 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106835035B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;周顺;王泉;葛少博;惠迎雪;蔡长龙;陈智利 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/10;C23C14/18;C30B33/00;C30B29/14 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 二氢钾类 晶体 光学 表面 平坦 方法 | ||
1.一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法，包括以下步骤：
步骤（1）、准备经过单点金刚石车床车削抛光后的磷酸二氢钾（KH2PO4）非线性光学晶体材料作为加工对象；
步骤（2）、采用离子束溅射沉积的方法在磷酸二氢钾光学晶体材料表面沉积一层或复合层薄膜；
步骤（3）、经真空冷却处理后在磷酸二氢钾光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的薄膜层，薄膜的上表面为平坦化表面；
所述步骤（2）中，所述薄膜的靶材料选用硅，靶材规格为536×114×10.5mm；溅射沉积的条件为：离子束电压 500V，离子束电流 150mA，离子束加速电压 300V，离子束加速电流100mA，工作气体为氩气，通气流量：35sccm，工作压强：5.71E-2Pa，离子束入射角45°，溅射沉积时间 1-2h；所述步骤（3）中，真空冷却：温度 25℃~50℃，时间4h~8h。
2.根据权利要求1所述的磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法，其特征在于：所述步骤（2）沉积一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低且致密的硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法，其特征在于：
所述步骤（2）中，溅射沉积时间 2h；
所述步骤（3）中，真空冷却：温度 25℃时间4h。
4.一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法，包括以下步骤：
步骤（1）、准备经过单点金刚石车床车削抛光后的磷酸二氢钾（KH2PO4）非线性光学晶体材料作为加工对象；
步骤（2）、采用离子束溅射沉积的方法在磷酸二氢钾光学晶体材料表面沉积一层或复合层薄膜；
步骤（3）、经真空冷却处理后在磷酸二氢钾光学晶体材料表面形成一层表面粗糙度低的薄膜层，薄膜的上表面为平坦化表面；所述步骤（2）中，所述薄膜的靶材料选用二氧化硅，靶材规格为536×114×10.5mm；溅射沉积的条件为：离子束电压 500V，离子束电流 150mA，离子束加速电压 300V，离子束加速电流 100mA，工作气体为氩气，通气流量：35sccm，工作压强：5.71E-2Pa，离子束入射角45°，溅射沉积时间 1-2h；所述步骤（3）中，真空冷却：温度25℃~50℃，时间4h~8h。
5.根据权利要求4所述的磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法，其特征在于：所述步骤（2）沉积一层机械性能良好、性质稳定、表面粗糙度低且致密的二氧化硅薄膜。
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