[发明专利]薄化检测系统和薄化检测方法在审

专利信息
申请号: 201710265314.8 申请日: 2017-04-21
公开(公告)号: CN107328849A 公开(公告)日: 2017-11-07
发明(设计)人: 石川彻也;三户慎也 申请(专利权)人: 横河电机株式会社
主分类号: G01N27/83 分类号: G01N27/83
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 李铭,陈源
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 检测 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种薄化检测系统,包括:

电流施加设备,其配置为向安装在作为监测对象的金属装置上的电极施加交流电流;

磁场测量设备,其包括磁传感器阵列,所述磁传感器阵列配置为测量所述金属装置的表面侧的磁场分布;以及

测量管理设备,其配置为基于磁场分布差来估计所述金属装置的薄化分布,所述磁场分布差是在所述金属装置中还没有发生薄化的情况下获得的参考磁场分布与作为实际测量结果的测量磁场分布之间的差,

其中,所述测量管理设备根据所述磁场分布差计算所述金属装置的虚拟电流分布,并且基于由所述虚拟电流分布表示的虚拟涡电流来估计所述金属装置的薄化分布。

2.根据权利要求1所述的薄化检测系统,其中:

所述测量管理设备配置为:

基于所述虚拟涡电流的螺旋形状来估计薄化形状;并且

基于所述虚拟涡电流的密度来估计薄化深度。

3.根据权利要求1或2所述的薄化检测系统,其中:

所述测量管理设备配置为:

通过定向正方形栅格来对所述金属装置的电流路径进行近似;并且

通过求解二次规划问题来计算所述虚拟电流分布,所述二次规划问题用于在作为定向正方形栅格的每个节点的电流守恒定律的约束条件下使得所述磁场分布差与由所述虚拟电流分布引起的每个磁传感器上的磁通密度分布之间的距离最小化。

4.根据权利要求1或2所述的薄化检测系统,其中:

所述测量管理设备配置为基于所述磁传感器和所述金属装置的位置来校正所述测量磁场分布。

5.根据权利要求4所述的薄化检测系统,其中:

针对特定磁传感器,基于通过向所述金属装置施加具有不同频率的交流电流而获得的磁通密度,所述测量管理设备配置为计算相应的磁传感器和所述金属装置的位置。

6.根据权利要求4所述的薄化检测系统,其中:

所述测量管理设备配置为:基于由特定磁传感器测量的磁通密度、以及布置在金属设备与相应的磁传感器的延长线上的辅助磁传感器测量的磁通密度,来计算相应的磁传感器和所述金属装置的位置。

7.一种薄化检测方法,包括步骤:

对安装在作为监测对象的金属装置上的电极施加交流电流;

通过磁传感器阵列测量所述金属装置的表面侧的磁场分布;以及

基于磁场分布差来估计所述金属装置的薄化分布,所述磁场分布差是在所述金属装置中还没有发生薄化的情况下获得的参考磁场分布与作为实际测量结果的测量磁场分布之间的差,

其中,薄化估计步骤根据所述磁场分布差计算所述金属装置的虚拟电流分布,并且基于由所述虚拟电流分布表示的虚拟涡电流来估计所述金属装置的薄化分布。

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