[发明专利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法。

背景技术

有具备基材层、位于基材层上的粘合剂层以及位于粘合剂层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。也有具备基材层和位于基材层上的粘接剂层的、切割用且芯片接合用的薄膜。

若用切割刃切入这些薄膜的基材层，则会产生纤维状屑。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-174963号公报

专利文献2：日本特开2012-209363号公报

专利文献3：日本特开2007-63340号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一个实施方式的目的在于，提供能够用切割的冷却液将纤维状屑洗掉的切割/芯片接合薄膜及切割/芯片接合带。本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撑层和芯片接合层。切割支撑层的熔点为60℃～100℃。由于熔点为100℃以下，因此能够用冷却液将纤维状屑洗掉。由于切割支撑层与切割刃的摩擦，能使切割支撑层熔化，能够使纤维状屑从切割支撑层脱离。切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m²～100N/m²。由于拉伸模量为100N/m²以下，因此有不易发生切割/芯片接合薄膜自切割环的剥离、切割支撑层的破裂的倾向。

本发明的一个实施方式涉及一种切割/芯片接合带。切割/芯片接合带包含隔膜和与隔膜接触的切割/芯片接合薄膜。

本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括对固定于切割/芯片接合薄膜的半导体晶圆进行切割的工序，和将通过对半导体晶圆进行切割的工序形成的、芯片接合前的芯片压接在被粘物上的工序。

附图说明

图1为切割/芯片接合带的俯视示意图。

图2为切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图3为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图4为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图5为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图6为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图7为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图8为变形例1中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图9为变形例2中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图10为变形例3中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图11为变形例4中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

具体实施方式

以下举出实施方式详细地对本发明进行说明，但本发明不仅限定于这些实施方式。

实施方式1

如图1所示，切割/芯片接合带1包含隔膜11和切割/芯片接合薄膜12a、12b、12c、……、12m(以下，总称为“切割/芯片接合薄膜12”。)。切割/芯片接合带1可以呈卷状。隔膜11呈带状。隔膜11为例如进行了剥离处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。切割/芯片接合薄膜12位于隔膜11上。切割/芯片接合薄膜12a与切割/芯片接合薄膜12b间的距离、切割/芯片接合薄膜12b与切割/芯片接合薄膜12c间的距离、……切割/芯片接合薄膜12l与切割/芯片接合薄膜12m间的距离是恒定的。切割/芯片接合薄膜12呈圆盘状。

如图2所示，切割/芯片接合薄膜12可以包含晶圆固定部12A和切割环固定部12B。切割环固定部12B位于晶圆固定部12A的周边。

切割/芯片接合薄膜12包含切割支撑层122。切割支撑层122呈圆盘状。切割支撑层122的厚度例如为50μm～150μm。切割支撑层122的两面是用与芯片接合层121接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义的。切割支撑层122的第1主面可以涂布有底涂剂。