[发明专利]一种N型硅异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710265898.9 | 申请日： | 2017-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN106876595A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;陈帅梁;陈琳;顾运莉 | 申请（专利权）人： | 江苏天雄电气自动化有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 225314 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型硅异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)对N型硅片进行清洗，接着利用氢氟酸去除氧化硅绝缘层；
(2)采用金属离子辅助化学刻蚀法在所述N型硅片的上表面制备N型硅纳米线阵列；
(3)将含有所述N型硅纳米线阵列的所述N型硅片浸入硫化钠的乙二醇溶液中，作为阳极，并在硫化钠的乙二醇溶液中放置铂电极，作为阴极，进行电镀硫化处理，以得到硫化钝化层；
(4)在所述N型硅纳米线阵列的表面旋涂铁电薄膜材料的前驱体溶液，在150-180℃下烘烤5-10分钟，然后在500-600℃下退火处理10-20分钟，以得到铁电钝化薄膜；
(5)随后于惰性气氛中在所述铁电钝化薄膜的表面旋涂2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴溶液，在空气中110-120℃下退火10-20分钟，以得到2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜，所述N型硅纳米线阵列与所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜形成径向异质结；
(6)在所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜的表面旋涂聚乙烯醇溶液，在105-110℃下退火12-15分钟，以得到聚乙烯醇隧道层，所述聚乙烯醇隧道层的厚度为1-3纳米；
(7)在所述聚乙烯醇隧道层的表面旋涂PEDOT:PSS溶液，在110-120℃下退火20-30分钟，以得到PEDOT:PSS透明导电层；
(8)在所述N型硅片的下表面旋涂聚乙烯亚胺溶液，在105-110℃下退火12-15分钟，以得到聚乙烯亚胺层，所述聚乙烯亚胺层的厚度为1-3纳米；
(9)在所述PEDOT:PSS透明导电层的表面制备银电极，在所述聚乙烯亚胺层的表面制备铝电极。
2.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述N型硅纳米线阵列中硅纳米线的长度为500-1500nm，相邻硅纳米线之间的间距为100-500nm，所述硅纳米线的直径为50-300nm。
3.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述铁电钝化薄膜的材质为PZT、BTO、BFO或BST，所述铁电钝化薄膜的厚度为1-3纳米。
4.根据权利要求1所述的N型硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述2,2’,7,7’-四(N,N-二-对-甲氧基苯基-氨)-9,9’-螺二芴薄膜的厚度为35-55纳米。
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