[发明专利]硅片检测方法及其所用的硅片承载装置在审
申请号: | 201710265950.0 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN108735856A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 张济蕾;邓浩;李梦飞;姚宏 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 钟欢 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 硅片承载装置 检测 插片部 挡齿 热处理 承载架 微裂纹 冷却 受热均匀性 硅片放置 接触换热 直线排布 手柄 点接触 杆本体 热应力 辅材 保证 | ||
1.硅片检测方法,其特征在于,用于检测识别具有微裂纹缺陷的硅片,包括步骤:
提供硅片承载装置及待测硅片,将所述待测硅片放置于所述硅片承载装置;
对置于硅片承载装置的待测硅片进行热处理;
冷却前述经热处理的待测硅片;以及
检测前述经冷却后的待测硅片是否具有微裂纹缺陷。
2.根据权利要求1所述的硅片检测方法,其特征在于,在对所述待测硅片进行热处理的步骤中,将所述待测硅片及承载所述待测硅片的硅片承载装置置于80℃~500℃的加热装置内,在该温度下保温10~30min,以确保所述待测硅片受热均匀。
3.根据权利要求1所述硅片检测方法,其特征在于,热处理后的所述待测硅片置于水中进行冷却。
4.根据权利要求1所述硅片检测方法,其特征在于,利用硅片分选机检测经冷却后未破损的所述待测硅片是否具有微裂纹缺陷。
5.根据权利要求2所述硅片检测方法,其特征在于,所述待测硅片的热处理温度为100~400℃。
6.根据权利要求2所述硅片检测方法,其特征在于,所述加热装置选用马弗炉。
7.用于如权利要求1-6任一项所述的硅片检测方法的硅片承载装置,其特征在于,包括手柄(2)和放置所述待测硅片的承载架(1),所述手柄(2)与承载架(1)可拆卸式连接,所述承载架(1)上具有用于插入所述待测硅片的一体式挡齿。
8.根据权利要求7所述用于硅片检测方法的硅片承载装置,其特征在于,所述承载架(1)包括两平行端板(11),在两端板(11)的内侧面之间平行设置至少一根支撑杆(12)和至少两根插片杆(13),所述支撑杆(12)位于插片杆(13)的下方,所述插片杆(13)分别位于所述支撑杆(12)的两侧,所述插片杆(13)表面具有所述一体式挡齿,所述待测硅片插入于两侧插片杆(13)的一体式挡齿之间,所述端板(11)的外侧面上设置有连接手柄(2)的卡扣件(14)。
9.根据权利要求8所述用于硅片检测方法的硅片承载装置,其特征在于,所述承载架(1)包括三根支撑杆(12)和四根插片杆(13),其中一根支撑杆(12)连接两端板(11)的基部(112)中心,另两根支撑杆(12)均匀分布在位于基部(112)中心处的支撑杆(12)的两侧,在两端板(11)的侧部(111)各均匀连接两根插片杆(13)。
10.根据权利要求8或9所述用于硅片检测方法的硅片承载装置,其特征在于,所述插片杆(12)包括杆本体部(131)和插片部(132),杆本体部(131)连接两端板(11)的侧部(111),在杆本体部(131)的中部位置向外凸起形成插片部(132),所述插片部(132)表面具有用于插入待测硅片的呈直线排布的所述一体式挡齿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的