[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	201710266365.2	申请日：	2009-12-25
公开（公告）号：	CN107104107B	公开（公告）日：	2021-06-08
发明（设计）人：	山崎舜平;坂田淳一郎;小山润	申请（专利权）人：	株式会社半导体能源研究所
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L29/786;H01L21/02
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	李玲
地址：	日本神***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件，包括电路，所述电路包括：

第一晶体管；

第二晶体管；

第三晶体管；

第四晶体管；

第五晶体管；

第六晶体管；

第七晶体管；

第八晶体管，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极之一电连接到第一引线，

其中，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到第二引线，

其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个和所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到第三引线，

其中，所述第四晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，

其中，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第三晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个，

其中，所述第四晶体管的栅极电连接到所述第一晶体管的栅极，

其中，所述第五晶体管的源极和漏极之一电连接到第四引线，

其中，所述第六晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，

其中，所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，

其中，所述第六晶体管的栅极电连接到所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第七晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，

其中，所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第一晶体管的栅极，

其中，所述第八晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二引线，

其中，所述第八晶体管的源极和漏极中的另一个电连接到所述第二晶体管的栅极，

其中，所述第五晶体管的栅极和所述第八晶体管的栅极电连接到第五引线，

其中，所述第七晶体管的栅极电连接到第六引线，以及

其中，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管中的每一个包括：具有沟道形成区的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括In-Sn-Zn-O基半导体或In-Ga-Zn-O基半导体。

2.一种半导体器件，包括电路，所述电路包括：