[发明专利]一种SiGeSn太阳能电池光伏组件

说明书

本发明涉及一种SiGeSn太阳能电池光伏组件，属于太阳能光伏发电技术领域，所述SiGeSn太阳能电池光伏组件从下到上依次包括光伏散热背板、第一EVA封装层、第一导热硅胶封装层、SiGeSn太阳能电池片层、第二导热硅胶封装层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板。本发明采用的SiGeSn太阳能电池片具有优异光电转换效率，同时在SiGeSn太阳能电池片层的上表面和下表面分别设置导热硅胶封装层，提高了该SiGeSn太阳能电池光伏组件的散热性能和抗震性能，延长了光伏组件的使用寿命。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏发电技术领域，特别是涉及一种SiGeSn太阳能电池光伏组件。

背景技术

硅基太阳电池主要包括单晶硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池和多晶硅薄膜太阳电池。其中单晶硅太阳电池的转换效率最高，在目前商业化太阳电池市场中占绝对统治地位。单晶硅太阳能电池的光电转化效率无疑非常具有竞争力，但由于其原材料价格高、复杂的制作工艺的影响，致使其成本太高，不利于实现大规模的民用光伏发电。为了降低成本，薄膜太阳能电池引起了人们的关注，它包括多晶硅薄膜太阳电池和非晶硅薄膜太阳电池。目前多晶硅电池由于成本稍低已被广泛用于商业化太阳能电池的制备中，多晶硅材晶体结构呈无规律性。非晶硅薄膜电池由于材料无序导致载流子寿命短，扩散长度小，电子空穴复合严重，并且长时间光照下会产生光致衰减效应，因而转换效率低下。因此，如何设计一种制作简单、光电转换效率高的太阳能电池及组件，是业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种SiGeSn太阳能电池光伏组件。

为实现上述目的，本发明提出的一种SiGeSn太阳能电池光伏组件，所述SiGeSn太阳能电池光伏组件从下到上依次包括光伏散热背板、第一EVA封装层、第一导热硅胶封装层、SiGeSn太阳能电池片层、第二导热硅胶封装层、第二EVA封装层、透明玻璃盖板；所述第一导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50-80份，含氢硅油20-30份，铂金催化剂0.1-0.5份，抑制剂1-3份，硅烷偶联剂3-5份，导热纳米颗粒80-150份，二氧化钛颗粒20-50份；所述SiGeSn太阳能电池片层包括多个呈矩阵排列的SiGeSn太阳能电池片，所述SiGeSn太阳能电池片包括从下到上依次排列的背面电极、P型单晶硅基底、P型硅微米柱阵列、N型磷掺杂SiGeSn层、透明导电层、应力引入层、上电极，其中，N型磷掺杂SiGeSn层是在所述P型硅微米柱阵列上外延不同组分的Si、Ge和Sn制得，其通式为Si_xGe_ySn_1-x-y，其中，0.5≤x≤0.8，0.1≤y≤0.5，x+y＜1；所述第二导热硅胶层按照重量百分比计算由以下组分组成：甲基苯基硅油100份，乙烯基硅油50-80份，含氢硅油20-30份，铂金催化剂0.1-0.5份，抑制剂1-3份，硅烷偶联剂3-5份，导热纳米颗粒80-150份，无碱玻璃纤维5-15份。

作为优选，所述光伏散热背板的厚度为300-600微米。

作为优选，所述第一、第二导热硅胶层中的所述抑制剂为酰胺化合物或马来酸酯化合物。

作为优选，所述第一、第二导热硅胶层中的所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三（β -甲氧基乙氧基）硅烷、γ-(2，3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷中的一种或几种。

作为优选，所述第一、第二导热硅胶层中的所述导热纳米颗粒为氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、氮化硅、碳化硅、碳纤维、石墨烯、碳纳米管中的一种或多种的组合，所述导热纳米颗粒的粒径为50-100微米。

作为优选，所述二氧化钛颗粒的粒径为50-100微米。