[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710266672.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107195686B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
衬底上的包含氧化铝的第一金属氧化膜；
所述第一金属氧化膜上的氧化物半导体膜；
所述氧化物半导体膜上的包含氧化镓铝的第二金属氧化膜，在所述氧化镓铝中，镓的原子百分比含量大于铝的原子百分比含量；以及
所述第二金属氧化膜上的包含氧化铝镓的第三金属氧化膜，在所述氧化铝镓中，铝的原子百分比含量大于镓的原子百分比含量。
2.一种半导体装置，包括：
衬底上的包含氧化铝的第一金属氧化膜；
所述第一金属氧化膜上的氧化物半导体膜；
电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；
在所述氧化物半导体膜、所述源电极和所述漏电极上的包含氧化镓铝的第二金属氧化膜，在所述氧化镓铝中，镓的原子百分比含量大于铝的原子百分比含量；以及
所述第二金属氧化膜上的包含氧化铝镓的第三金属氧化膜，在所述氧化铝镓中，铝的原子百分比含量大于镓的原子百分比含量。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一金属氧化膜的顶面的一部分与所述第二金属氧化膜的底面的一部分直接接触。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一金属氧化膜是栅极绝缘膜。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述半导体装置是选自由膝上型个人计算机、便携式信息终端、电子书阅读器、移动电话、数码摄像机和电视机组成的组中的一个。
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