[发明专利]胶带及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及胶带及半导体装置的制造方法。

背景技术

有一种用于制造半导体装置的胶带，其具备基材层、位于基材层上的粘合剂层、位于粘合剂层上的粘接剂层以及与粘接剂层接触的隔膜(以下称为“3层胶带”。)。

也有具备基材层、位于基材层上的粘接剂层以及与粘接剂层接触的隔膜的胶带(以下有时称为“2层胶带”。)。与3层胶带相比，2层胶带能廉价地制造。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-281561号公报

专利文献2：日本特开2014-185285号公报

专利文献3：日本特许第4284922号

发明内容

发明要解决的问题

与3层胶带相比，2层胶带难以抑制切割时的芯片缺口(以下称为“破片”。)的产生。与3层胶带相比，2层胶带还难以抑制拾取时的芯片裂纹的产生。对于3层胶带，通过调整粘合剂层的厚度、粘合剂层的弹性模量，能够抑制切割时的芯片的振动，但2层胶带没有将基材层和粘接剂层连接的粘合剂层。

本发明的一个实施方式的目的在于，提供能够抑制破片的产生和芯片裂纹的产生的胶带。本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个实施方式涉及包含隔膜和薄膜的胶带。薄膜包含粘接剂层和基材层。粘接剂层位于隔膜与基材层之间。在薄膜的晶圆固定部中，粘接剂层及基材层的90度剥离力可以为0.015N/20mm～0.4N/20mm。在薄膜的切割环固定部中，粘接剂层及基材层的180度剥离力可以为0.5N/20mm以上。

若晶圆固定部的90度剥离力为0.015N/20mm以上、进而切割环固定部的180度剥离力为0.5N/20mm以上，则能够抑制切割时的半导体芯片的振动，能够抑制破片的产生。若晶圆固定部的90度剥离力为0.4N/20mm以下，则有在拾取时不易产生半导体芯片的裂纹的倾向。

基材层的两面可以用与粘接剂层接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面来定义。基材层的第1主面可以包含进行了前处理的区域。基材层的第1主面不包含进行了前处理的区域时，虽然不易产生芯片裂纹，但有时在切割环上容易产生残胶。这是因为：基材层的极性通常低，因此有时基材层与粘接剂层的粘接力低。前处理可以为电晕放电处理、等离子体处理、底涂剂的涂布、剥离处理、压花、紫外线处理、加热处理等。从可以应用于辊到辊(roll to roll)的观点出发，优选电晕放电处理、等离子体处理、底涂剂的涂布。压花中可以使用具有凹凸的辊等。经压花的区域的表面凹凸例如可以为0.1μm～5μm。通常粘接剂层越硬，越会对基材层的表面凹凸点接触，因此有剥离力变低的倾向。另一方面，粘接剂层越柔软，粘接剂层越会追随表面凹凸，因此有剥离力变高的倾向。

本发明的一个实施方式中，可以将胶带用于各种用途。例如，可以为了进行切割/芯片接合而使用胶带。此时，粘接剂层可以担任粘接芯片和被粘物的作用等。薄膜也可以用作晶圆背面保护薄膜、底部填充薄膜、封装薄膜。

另外，本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置的制造方法，其包括形成切割后的芯片的工序，所述切割后的芯片包含半导体芯片及切割后的粘接剂层。形成切割后的芯片的工序包括形成层叠体的步骤。层叠体包含薄膜、固定于晶圆固定部的半导体晶圆和固定于切割环固定部的切割环。形成层叠体的步骤包括从胶带去除隔膜的阶段。

附图说明

图1为切割/芯片接合带的俯视示意图。

图2为切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图3为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图4为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图5为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图6为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图7为半导体装置的制造工序的截面示意图。

图8为变形例8中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图9为变形例9中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图10为变形例10中的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。

图11为实施例1等中的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。

图12为实施例5中的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。

图13为实施例6中的切割/芯片接合薄膜的截面示意图。