[发明专利]一种锑冶炼反射炉配料搅拌器在审
申请号: | 201710267248.8 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN106868318A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 合肥智慧龙图腾知识产权股份有限公司 |
主分类号: | C22B30/02 | 分类号: | C22B30/02 |
代理公司: | 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126 | 代理人: | 陈思聪 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冶炼 反射炉 配料 搅拌器 | ||
技术领域
本发明涉及一种配料设备,具体是一种锑冶炼反射炉配料搅拌器。
背景技术
锑冶炼用反射炉主要工艺为还原熔料锑氧粉和精炼除杂,除去锑氧粉中的硅、砷、铅等杂质,生产出合格的精锑产品。目前市场上的设备存在一些弊端,在加料工序中由于锑氧粉从锑氧仓中直接放入反射炉内,未对配入的还原煤、纯碱进行充分搅拌,导致反射炉内的锑氧粉与熔剂接触不均匀,造成了锑氧粉与还原煤接触多的部分还原后结块,与还原煤接触少的部分熔料慢,锑氧粉与纯碱接触多的部分熔料快,与纯碱接触少的部分熔料慢的现象;其次在加锑氧粉时,由于反射炉内温度高,从锑氧仓内直接放料加入炉内,会造成锑氧粉瞬间下料量大,锑氧粉满出反射炉进料口,造成锑氧粉向外跑冒损失,而且锑氧粉直接从锑氧仓放入反射炉内,未对入炉锑氧粉进行计量,无法准确的进行生产统计数据,进而不能进行数据分析。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锑冶炼反射炉配料搅拌器,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种锑冶炼反射炉配料搅拌器,包括锑氧仓、阀门、计量斗、单螺旋搅拌装置、双螺旋搅拌装置、控制面板、反射炉进料口和反射炉,所述锑氧仓底端设置有阀门,阀门正下方固定安装有计量斗,计量斗上设有计量模块;计量斗左侧的工作板上安装有控制面板;在计量斗下设有单螺旋搅拌装置,且计量斗与螺旋搅拌装置之间设有进料口;单螺旋搅拌装置是由螺旋搅拌机、一号联轴器、一级搅拌轴、螺旋片和旋转下料口组成,所述螺旋搅拌机输出轴驱动连接一号联轴器与一级搅拌轴;所述一级搅拌轴上安装固定有螺旋片;螺旋搅拌机的左侧设有旋转下料口;所述进料口上方安装有振动器;单螺旋搅拌装置通过旋转下料口与双螺旋搅拌装置连接;双螺旋搅拌装置是由双螺旋搅拌机、二号联轴器、二级搅拌轴、波动齿、搅拌齿、进料搅拌斗和出料口组成,所述进料搅拌斗的中部固定安装有二级搅拌轴,所述二级搅拌轴通过二号联轴器与双螺旋搅拌电机的输出轴连接;所述进料搅拌斗外侧壁上安装有偏振电机;二级搅拌轴上固定安装有双向拨片;进料搅拌斗底部设置有出料口,且二级搅拌轴底端部位安装固定有搅拌齿;进料搅拌斗下方放置有反射炉,所述反射炉上的反射炉进料口和出料口连接。
作为本发明进一步的方案:所述螺旋片是不锈钢材质。
作为本发明再进一步的方案:所述单螺旋装置的内壁上设有衬板。
作为本发明再进一步的方案:所述衬板为衬麻石材质。
作为本发明再进一步的方案:所述控制面板上设置有急停按钮。
作为本发明再进一步的方案:所述反射炉底板下方安装有滚轮。
作为本发明再进一步的方案:所述双向拨片包括上部拨片和下部拨片,上部拨片呈左螺旋,下部拨片呈右螺旋,沿着上部拨片和下部拨片的外边缘均匀安装有拨动齿;在二级搅拌轴转动的过程中,上部拨片和下部拨片的旋向相反,使进料搅拌斗内的原料产生对流。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明设计合理,通过控制锑氧仓阀门来控制下料量,避免损失;能够使锑氧粉、还原煤、纯碱等熔剂进入螺旋机后分别通过螺旋搅拌机进行充分搅拌,且能够对锑氧粉进行精确计量,准确统计数据,方便对后面数据进行统计分析,螺旋机的旋转速度可通过调节电动机频率控制,在进料量大时调高电动机频率,加快转速,进料量小时,同理进行调节,操作方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明中进料搅拌斗的结构示意图。
图中:1-锑氧仓、2-阀门、3-计量斗、4-计量模块、5-振动器、6-进料口、7-螺旋搅拌机、8-一号联轴器、9-一级搅拌轴、10-螺旋片、11-衬板、12-旋转下料口、13-双螺旋搅拌机、14-二号联轴器、15-二级搅拌轴、16-上部拨片、17-下部拨片、18-波动齿、19-搅拌齿、20-进料搅拌斗、21-出料口、22-偏振电机、23-反射炉进料口、24-反射炉、25-滚轮、26-控制面板、27-急停按钮。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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