[发明专利]基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯及其制备方法

权利要求书

1.一种基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，包括灯罩、位于灯罩内的阴极柱和阳极柱，所述阴极柱顶端设置有一容置空间，所述容置空间内设置有紫光芯片，所述紫光芯片上覆盖有荧光粉与封装胶的混合物，所述荧光粉按重量百分比计包括50-80%的碳元素、10-20%的氢元素、1-10%的氧元素、1.5-10%的稀土元素。

2.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述稀土元素为铕、钇、铈、镓、镥、钪或钆中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述荧光粉按重量百分比计包括70-80%的氮元素、10-15%的氢元素、1-2%的氧元素、0.5-1%的铕元素、0.5-1%的钇元素、0.5-1%的镓元素。

4.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述荧光粉按重量百分比计包括60-70%的碳元素、10-15%的氢元素、3-5%的氧元素、1-2%的镥元素、2-3%的钇元素、2-3%的镓元素以及1-2%的铈元素。

5.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述荧光粉按重量百分比计包括50-60%的碳元素、15-20%的氢元素、5-10%的氧元素、1-2%的铕元素、1-2%的钇元素、2-3%的镓元素以及2-3%的铈元素。

6.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述封装胶材料为环氧树脂、改性环氧树脂、有机硅或PU聚氨酯中的一种。

7.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述紫光芯片的波长为390-410nm。

8.根据权利要求1所述的基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯，其特征在于，所述紫光芯片的正负极对应地与阴极柱和阳极柱电连接。

9.一种基于紫光芯片激发荧光粉的红外LED灯的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、将紫光芯片固定在阴极柱的容置空间；

B、采用金属导线将紫光芯片的正负极对应地连接阴极柱和阳极柱；

C、在所述紫光芯片表面喷涂荧光粉与封装胶的混合物，然后进行固化处理，所述荧光粉按重量百分比计包括50-80%的碳元素、10-20%的氢元素、1-10%的氧元素、1.5-10%的稀土元素；

D、固化完成后进行分光包装，即制得红外LED灯。