[发明专利]MEMS芯片及其电封装方法

权利要求书

1.一种MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS芯片包括MEMS器件层、第一隔离层和第一导电层，

所述MEMS器件层包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包括MEMS可动结构和导电结构，所述导电结构分布在所述MEMS可动结构之间，所述第二区域为电极排布区域，所述导电结构与所述第二区域中的电极在所述MEMS芯片的上表面电学绝缘；

所述第一隔离层位于所述MEMS器件层下方，所述第一隔离层对应所述第一区域中的导电结构位置和所述第二区域中的电极位置有相应数目的第一导电通孔；

所述第一导电层位于所述第一隔离层下方，所述第一导电层上存在相互独立的M个电极，所述M个电极分别与M个所述第一导电通孔连接，其中，M为正整数，M根据所述导电结构数目和所述第二区域中的电极数目设置；

所述第一导电层上对应所述第一区域中导电结构位置的电极和对应所述第二区域中电极位置的电极一一对应电连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，还包括：

位于所述第一导电层的下方的第N隔离层和位于所述第N隔离层下方的第N导电层，N为大于或等于2的正整数；

所述第一导电层上除所述M个电极之外的区域中有与所述第一导电通孔一一对应连接的第二导电通孔，M小于所述导电结构数目和所述第二区域中的电极数目之和；

所述第N隔离层对应第2N-2导电通孔的位置有与所述第2N-2导电通孔一一对应连接的第2N-1导电通孔；

所述第N导电层上有相互独立且与第2N-1导电通孔连接的Q个电极，Q小于或等于第2N-1导电通孔的数目；

所述第N导电层上对应所述第一区域中导电结构位置的电极和对应所述第二区域中电极位置的电极一一对应电连接。

3.根据权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一导电层由金属、多晶硅或掺杂硅构成，所述第N导电层的材料为金属、多晶硅或掺杂硅中的一种。

4.根据权利要求1～3任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述MEMS器件层还包括光输入/输出区域，所述第一导电层上对应所述光输入/输出区域的位置存在高反射率的材料。

5.根据权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域上方有隔离装置，所述第二区域中的电极间距小于第一阈值，所述导电结构和所述第二区域中的电极上有铜柱凸点。

6.根据权利要求5所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一阈值为100微米。

7.根据权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二区域上焊接有电学开关芯片。

8.一种MEMS芯片电封装方法，其特征在于，MEMS芯片包括MEMS器件层、第一隔离层和第一导电层，所述MEMS器件层包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包括MEMS可动结构和导电结构，所述导电结构分布在所述MEMS可动结构之间，所述第二区域为电极排布区域，所述导电结构与所述第二区域中的电极在所述MEMS芯片的上表面电学绝缘，所述方法包括：

在所述MEMS器件层的下方依次排布第一隔离层和第一导电层；

其中，所述第一隔离层对应所述第一区域中的导电结构位置和所述第二区域中的电极位置设置相应数目的第一导电通孔；

所述第一导电层上存在相互独立的M个电极，所述M个电极分别与M个所述第一导电通孔连接，其中，M为正整数，M根据所述导电结构数目和所述第二区域中的电极数目设置；

在所述第一导电层上将对应所述第一区域中导电结构位置设置的电极和对应所述第二区域中电极位置设置的电极一一对应电连接。