[发明专利]表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料，其特征在于，以重量份数计，原料组成如下：

微米碳化硅斜方微晶须51-99.99份；

微米氧化铝正交微晶须0.01-49.99份；

微米碳化硅/氧化铝表面刻蚀复合材料0.01-49.99份；

所述微米碳化硅斜方微晶须、微米氧化铝正交微晶须、微米碳化硅/氧化铝复合材料表面均经过刻蚀处理；

高岭土0.01-0.015份，高岭土表面经过Na₂SiF₆处理；

氟化材料占高岭土质量的2-4％。

2.根据权利要求1所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料，其特征在于，所述微米碳化硅微晶须复合材料中，所述微米碳化硅斜方微晶须与微米氧化铝正交微晶须处于物理上的分离状态。

3.根据权利要求1所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料，其特征在于，所述氧化铝正交微晶须的长度为：1-20μm；微米碳化硅斜方微晶须的长度为1-20μm；所述微米碳化硅/氧化铝表面刻蚀复合材料微晶须的长度为1-20μm。

4.根据权利要求1所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料，其特征在于，所述高岭土的纯度为99.99％。

5.根据权利要求1所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料，其特征在于，所述氟化材料为四氟乙烯或聚四氟乙烯。

6.一种权利要求1所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)将氧化铝正交微晶须与表面刻蚀的微米碳化硅/氧化铝微晶须复合材料掺杂到质量百分比为的微米碳化硅斜方微晶须中得到混合材料a；

(2)在干燥的高岭土中加入Na₂SiF₆，对干燥的高岭土进行表面处理；

(3)将氟化材料和经过表面处理的干燥的高岭土混合，获得混合材料b；

(4)加热混合后混合材料a和混合材料b，得到微米碳化硅微米微晶须陶瓷基复合材料。

7.根据权利要求6所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：

(1)粉碎所述氧化铝正交微晶须至1-20μm，并通过湿法刻蚀改变所述氧化铝正交微晶须的所有表面；制备长度为1-20μm的微米碳化硅斜方微晶须，并通过湿法刻蚀改变所述氧化铝正交微晶须的所有表面；制备长度为1-20μm微米碳化硅/氧化铝表面刻蚀复合材料微晶须；

(2)将氧化铝正交微晶须与表面刻蚀的微米碳化硅/氧化铝微晶须复合材料掺杂微米碳化硅斜方微晶须中得到混合材料a；

(3)将干燥的高岭土与Na₂SiF₆混合进行表面处理；

(4)将氟化材料和经过表面处理的干燥的高岭土混合，获得混合材料b；

(5)将混合材料a、混合材料b混合后在800-850℃加热，以产生表面刻蚀的的微米碳化硅微晶须复合材料。

8.根据权利要求6所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，加热时间为10-15分钟。

9.一种复合涂料，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。

10.一种绝缘材料，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。

11.一种耐火阻燃材料，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。

12.一种小型热传导管线材料，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。

13.一种电子元件，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。

14.一种机电设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一权项所述的表面刻蚀的微米碳化硅微晶须陶瓷基复合材料。