[发明专利]一种具有巨大磁电阻的HfTe5-δ晶体及其生长方法

权利要求书

1.一种具有巨大磁电阻的HfTe_5-δ晶体，其特征在于：所述HfTe_5-δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5-2cm，其中，δ的值为0.02～0.12。

2.根据权利要求1所述的一种具有巨大磁电阻的HfTe_5-δ晶体，其特征在于：当δ的值为0.06时，所述HfTe_5-δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×10⁴％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。

3.如权利要求1所述一种具有巨大磁电阻的HfTe_5-δ晶体的生长方法，其特征在于：采用化学气相输运法，具体包括如下步骤：

1)首先是对用于生长HfTe_5-δ晶体的石英管清洗，依次采用王水、氢氟酸溶液、有机溶剂、去离子水清洗石英管，并将石英管置于马弗炉，在一定温度下退火；

2)配制生长原料：称取一定量的HfTe₅粉末与一定量的输运剂，或者称取一定量的Hf粉末和Te粉末与一定量的输运剂，然后再加入过量的Te粉末，采用研钵研磨方式混合均匀，装入步骤1)准备好的石英管中；

3)将装好生长原料的石英管，在采用机械泵、分子泵抽真空的状态下，采用煤气焰或者乙炔焰或者氢火焰密封备用；

4)将密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述HfTe_5-δ晶体。

4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤1)中，石英管长度为10～20cm，直径为1～3cm，退火温度为100～1000℃。

5.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤1)中，有机溶剂为乙醇或者丙酮。

6.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤2)中，HfTe₅粉末的质量为0.5～5g；Hf粉末和Te粉末的摩尔比为1:5，总质量为0.5～5g；输运剂的质量为40～400mg。

7.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤2)中，所述输运剂为I₂、Br₂、TeI₄、TeBr₄或者TeCl₄，输运剂的浓度为2～20mg/cm³。

8.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤2)中，过量的Te粉末的物质的量为之前称取的Te粉末的0.1％-10％。

9.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于：步骤4)中，生长温度设置为：原料端550℃，晶体生长端400℃。