[发明专利]高压电路

权利要求书

1.一种高压电路，其特征在于，所述高压电路包含用于保护一低压金属氧化物半导体场效晶体管的一保护电路，其中多个高压元件配置为在一电源供应电压下操作，且多个低压元件配置为在低于所述电源供应电压的一最大容许电压下操作，所述高压电路包含：

一第一金属氧化物半导体场效晶体管，为一第一导电类型的低压元件，且具有与一输入电压耦接的栅极以及与一第一电源端耦接的源极；

一第二金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的高压元件且与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管串联，所述第二金属氧化物半导体场效晶体管具有与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的源极以及与一第一偏压耦接的栅极；以及

一保护电路，用于保护所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极-源极接面，所述保护电路包含：

一第三金属氧化物半导体场效晶体管，为一第二导电类型的元件且具有与所述输入电压耦接的源极；

一第四金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的元件且具有与所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的漏极、与一第二偏压耦接的栅极、以及与所述第一电源端耦接的源极与基极；及

一第五金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的元件且具有与所述输入电压耦接的漏极、与所述第四金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的栅极、以及与所述第一电源端耦接的源极。

2.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极电压配置为使得所述栅极电压加上所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的一栅极源极电压小于所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的所述最大容许电压。

3.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述第一导电类型为N型；

所述第二导电类型为P型；以及

所述第一电源端为一接地端。

4.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述第一导电类型为P型；

所述第二导电类型为N型；以及

所述第一电源端为一电源供应端。

5.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述第三金属氧化物半导体场效晶体管、所述第四金属氧化物半导体场效晶体管与所述第五金属氧化物半导体场效晶体管配置为一单位增益运算放大器。

6.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的基极与所述第一电源端耦接，且所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的基极与所述第一电源端或所述第二金属氧化物半导体场效晶体管的源极耦接。

7.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述保护电路更包含设置于所述第三金属氧化物半导体场效晶体管的源极以及所述第五金属氧化物半导体场效晶体管的漏极之间的一电阻器。

8.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述电源供应电压为5V，且用于所述多个低压元件的所述最大容许电压为1.65V。

9.根据权利要求1所述的高压电路，其特征在于，所述高压电路更包含：

一第六金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的低压元件且具有与一输入电压耦接的栅极以及与一第一电源供应端耦接的源极；以及

一第七金属氧化物半导体场效晶体管，为所述第一导电类型的一高压元件且与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管串联，所述第二金属氧化物半导体场效晶体管具有与所述第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极耦接的源极以及与一第一偏压耦接的栅极；

其中，所述第一金属氧化物半导体场效晶体管、所述第二金属氧化物半导体场效晶体管、所述第六金属氧化物半导体场效晶体管以及所述第七金属氧化物半导体场效晶体管配置为形成一电流镜。