[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710270278.4 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107026003B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 史丙强;魏蕊;杜伟 申请(专利权)人: 烟台正海磁性材料股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 11535 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘元霞
地址: 264006 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)将烧结磁体R1-Fe-B-M进行预处理;所述的预处理是指除油、酸洗、活化及去离子水清洗;

2)将重稀土与Ga的混合粉末与有机溶剂、抗氧化剂混合制得浆料,混合粉末中Ga的含量为0.5-20wt%,抗氧化剂为三氯甲苯;以混合粉末的重量计,所述抗氧化剂占0.5-2%;所述的重稀土是指Dy、Tb、Dy与Tb的合金、Dy或Tb的氢化物中的一种或几种的复配;

所述的有机溶剂为醇类、醛类、酮类化合物中的一种;

所述浆料中混合粉末与有机溶剂的重量比为3:2~3:1;

3)将步骤2)所得的浆料覆盖于步骤1)所得的烧结磁体表面,浆料的厚度为20-200μm,然后进行干燥处理;

使浆料覆盖于烧结磁体表面的方法为喷涂法、涂覆法、浸渍法中的一种;

所述干燥的温度为100-400℃,惰性气氛下干燥;

4)将步骤3)中所得的磁体进行晶界扩散处理,所述晶界扩散处理采用的烧结温度为800-1000℃,烧结时间为2-16h;时效处理温度为450~590℃,时效处理的时间为2~6h。

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