[发明专利]一种类金刚石复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710270329.3 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107083536B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 陈立;吴德生;朱得菊 申请(专利权)人: 信利光电股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 赵青朵<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 516600 广东省汕*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 机械性能 类金刚石复合薄膜 金刚石 复合薄膜 光学特性 制备 耐磨性 高硬度 耐磨 申请
【权利要求书】:

1.一种类金刚石复合薄膜,其特征在于,包括SiNx膜层和含氢DLC膜层;

其中,0.8≤x≤1.2;

所述SiNx膜层的厚度为6~15nm;

所述类金刚石复合薄膜通过以下制备方法制得:

a)将硅靶材在混合气体环境中进行磁控溅射,在衬底上沉积得到SiNx膜层;

所述混合气体为氩气和氮气;氩气和氮气的体积比为(1~2):1;

所述磁控溅射的气压为2.5~6.5mTorr;

所述磁控溅射的溅射功率为600~1200W;

b)以石墨为靶材在混合气体环境中进行磁控溅射,在所述SiNx膜层表面沉积形成含氢DLC膜层,得到类金刚石复合薄膜;

所述混合气体为氩气和氢气;氩气与氢气的体积比为(1~3):1;所述混合气体的气压为2.5~6.5mTorr。

2.根据权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,所述含氢DLC膜层的厚度为3~10nm。

3.一种类金刚石复合薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

a)将硅靶材在混合气体环境中进行磁控溅射,在衬底上沉积得到SiNx膜层;

所述混合气体为氩气和氮气;氩气和氮气的体积比为(1~2):1;

所述磁控溅射的气压为2.5~6.5mTorr;

所述磁控溅射的溅射功率为600~1200W;

b)以石墨为靶材在混合气体环境中进行磁控溅射,在所述SiNx膜层表面沉积形成含氢DLC膜层,得到类金刚石复合薄膜;

所述混合气体为氩气和氢气;氩气与氢气的体积比为(1~3):1;所述混合气体的气压为2.5~6.5mTorr。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤a)中,氩气流量为20~60sccm;氮气流量为20~60sccm。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤a)中,磁控溅射的工作电压为300~450V。

6.根据权利要求3或5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤a)中,磁控溅射的时间为15~45s。

7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述步骤b)中,氩气流量为25~40sccm,氢气流量为10~20sccm。

8.根据权利要求3或7所述的制备方法,其特征在于,所述步骤b)中,磁控溅射的工作电压为400~700V;

磁控溅射的溅射功率为5.0~8.0KW,时间为15~45s。

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