[发明专利]等离子体装置

说明书

本发明涉及等离子体装置。利用等离子体对工件的一部分进行成膜或蚀刻的等离子体装置具备：真空容器，具备第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与第一模对向地配置；绝缘部件，配置于第一平面部与第二模之间，在使工件的被处理对象部分朝向第一凹陷部内的空间并且使工件从第一平面部离开的状态下与工件接触；以及电力施加部，向工件施加电力。工件与绝缘部件间的接触点中的最靠近所述第一平面部的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离。

技术领域

本发明涉及等离子体装置。

背景技术

已知有通过等离子体CVD法对基板进行成膜的装置。日本特开2013-206652中记载了一种在真空容器内设置保持基板的支架并从偏置电源向支架施加偏置电压来进行成膜的装置。在该装置中，真空容器和偏置电源通过绝缘部件来绝缘。

发明内容

在日本特开2013-206652记载的装置中，由于电场在从偏置电源向支架连接的电压线和绝缘部件相接触的部位集中，所以若等离子体侵入该部位，则有时会发生异常放电。并且，在利用等离子体进行蚀刻的情况下，也同样有时会发生异常放电。因此，在利用等离子体进行成膜或蚀刻的装置中，期望能够抑制这样的异常放电的产生的技术。

本发明提供抑制异常放电的产生的等离子体装置。

根据本发明的一方式，提供一种以利用等离子体对工件的一部分进行成膜或蚀刻的方式构成的等离子体装置。该等离子体装置具备：真空容器，具有第一模和第二模，所述第一模具备第一凹陷部和配置于所述第一凹陷部的周围的第一平面部，所述第二模与所述第一模对向地配置；绝缘部件，配置于所述第一模的所述第一平面部与所述第二模之间，在使所述工件的被处理对象部分朝向所述第一凹陷部内的空间并且使所述工件从所述第一平面部离开的状态下与所述工件接触；以及电力施加部，向所述工件施加电力，所述工件与所述绝缘部件的接触点中的最靠近所述第一平面部的接触点和所述第一平面部之间的距离小于所述工件和所述第一凹陷部的底部之间的距离。若是这种等离子体装置，则与工件接触的绝缘部件配置于第一平面部与第二模之间，工件与绝缘部件的接触点和第一平面部之间的距离小于工件和第一凹陷部的底部之间的距离，因此抑制等离子体从第一凹陷部向由工件和第一平面部形成的空间内侵入。因此，工件与绝缘部件的接触点处的等离子体的量降低，因此能够抑制异常放电的发生。

在上述方式的等离子体装置中，可以的是，从所述第一凹陷部与所述第一平面部间的连接部位至所述接触点为止的沿所述第一平面部的距离大于0。若是这种等离子体装置，则由第一凹陷部形成的产生等离子体的空间和工件与绝缘部件的接触点分离，因此进一步降低接触点处的等离子体的量，因此能够进一步抑制异常放电的发生。

在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述接触点和所述第一平面部之间的距离比在所述工件和所述第一平面部之间形成的鞘层的距离短。若是这种等离子体装置，则工件与绝缘部件的接触点和第一平面部之间的距离比在工件与第一平面部之间形成的鞘层的距离短，因此能够避免在工件与第一平面部之间产生等离子体。因而，能够有效地降低接触点处的等离子体的量，因此能够有效地抑制异常放电的发生。

在上述方式的等离子体装置中，可以的是，所述接触点和所述第一平面部之间的距离为2.0mm以下。若是这种等离子体装置，则进一步抑制等离子体从第一凹陷部向由工件和第一平面部形成的空间内侵入。并且，能够避免在工件与第一平面部之间产生等离子体。因而，能够进一步降低接触点处的等离子体的量，因此能够进一步抑制异常放电的发生。