[发明专利]嵌入式多层陶瓷电子元件

权利要求书

1.一种嵌入式多层陶瓷电子元件，该嵌入式多层陶瓷电子元件包括：

陶瓷本体，该陶瓷本体包括电介质层，所述陶瓷本体具有彼此相对的第一主表面和第二主表面、彼此相对的第一侧表面和第二侧表面以及彼此相对的第一端表面和第二端表面，并且所述陶瓷本体具有250μm的厚度或更小的厚度；

第一内电极和第二内电极，该第一内电极和第二内电极设置成彼此相对，所述第一内电极和所述第二内电极之间插入有所述电介质层，所述第一内电极和所述第二内电极交替地暴露于所述第一侧表面或第二侧表面；以及

第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极分别形成在所述陶瓷本体的所述第一侧表面和第二侧表面上，并且分别电连接至所述第一内电极和所述第二内电极，

其中，所述第一外电极包括第一电极层和形成在所述第一电极层上的第一金属层，所述第二外电极包括第二电极层和形成在所述第二电极层上的第二金属层，所述第一外电极延伸至所述陶瓷本体的所述第一主表面和所述第二主表面，所述第二外电极延伸至所述陶瓷本体的所述第一主表面和所述第二主表面，分别形成在所述第一主表面上的所述第一外电极和第二外电极的宽度彼此不同，并且分别形成在所述第二主表面上的所述第一外电极和第二外电极的宽度彼此不同，

其中，当形成在所述第一主表面和第二主表面上的所述第一外电极的宽度为BW1，并且形成在所述第一主表面和第二主表面上的所述第二外电极的宽度为BW2时，在所述第一主表面上满足BW1＞BW2，并且在所述第二主表面上满足BW1＜BW2，

其中，W为所述陶瓷本体的宽度，在所述第一主表面上满足200μm≤BW1≤W或者在所述第二主表面上满足200μm≤BW2≤W。

2.根据权利要求1所述的嵌入式多层陶瓷电子元件，L为所述陶瓷本体的长度，其中，W≤L。

3.根据权利要求2所述的嵌入式多层陶瓷电子元件，其中，0.5L≤W≤L。

4.根据权利要求3所述的嵌入式多层陶瓷电子元件，其中，所述第一金属层和第二金属层中的每一个金属层的厚度为tp，tp≥5μm。