[发明专利]微结构基板及制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201710271727.7 | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107132599B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 杨勇 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/02 | 分类号： | G02B5/02;G02B1/18 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微结构 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种微结构基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上涂布一层耐指纹膜层；
在所述耐指纹膜层上溅射二氧化硅层；
对所述二氧化硅层进行蚀刻，以制备出具有多个圆弧凹陷微结构的二氧化硅层；其中，所述微结构宽度为5μm～25μm，深度和宽度之比为0.05～0.15，切线与水平方向的夹角为5°～20°；
所述耐指纹层的主体材料为水溶性树脂，且具耐酸性。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述耐指纹膜层上溅射二氧化硅层包括：调整二氧化硅与所述衬底基板的溅射方向，所述溅射方向与所述衬底基板法线方向的夹角设定为75°～85°。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为1μm～3μm。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述二氧化硅层进行蚀刻包括：控制蚀刻条件，其中，所述蚀刻条件至少包括蚀刻液浓度、蚀刻时间以及蚀刻液流动速率中的一种。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述耐指纹膜层的材料还包括二氧化硅、蜡及助剂。
6.一种微结构基板，其特征在于，所述微结构基板包括：
衬底基板；
耐指纹膜层，所述耐指纹膜层涂布于所述衬底基板上；
二氧化硅层，所述二氧化硅层覆盖于所述耐指纹膜层，包括多个圆弧凹陷微结构；其中，所述微结构宽度为5μm～25μm，深度和宽度之比为0.05～0.15，切线与水平方向的夹角为5°～20°；
所述耐指纹膜层的主体材料为水溶性树脂，且具耐酸性。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求6所述的微结构基板。
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