[发明专利]无胶胶带的制造方法在审

申请号：	201710272230.7	申请日：	2017-04-24
公开（公告）号：	CN108666256A	公开（公告）日：	2018-10-16
发明（设计）人：	施惠瑄;林世昌;陈秋风;周宥佑;王懿玫	申请（专利权）人：	台虹科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683
代理公司：	北京汇泽知识产权代理有限公司 11228	代理人：	张秋越
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	胶带离型膜无胶高分子材料凹陷结构凸起结构热压贴附固化模具制造剥离印制
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【说明书】：

本发明公开了一种无胶胶带的制造方法包含提供一离型膜；提供一模具对该离型膜进行一热压印制程，以于该离型膜上形成多个凹陷结构；涂布一高分子材料于该离型膜上；以及对该高分子材料进行固化以形成一无胶胶带，其中该无胶胶带上形成有多个凸起结构对应于该多个凹陷结构，该离型膜是可从该无胶胶带剥离，该多个凸起结构用以和一物体的表面接触以产生凡得瓦力，而使该无胶胶带借由凡得瓦力贴附于该物体的表面上。

技术领域

本发明相关于一种无胶胶带的制造方法，尤指一种可简化制程及改善良率的无胶胶带的制造方法。

背景技术

在半导体制造方法中，为了将晶圆薄化，会对晶圆进行晶背研磨制程。一般而言，现有的晶背研磨制程是先将胶带贴附于晶圆正面，之后再对晶圆背面进行研磨。当晶圆背面研磨完成后，晶圆正面上的胶带会被移除以进行后续的晶圆切割制程。为了避免胶带于晶圆正面上遗留残胶而影响晶圆正面上形成的集成电路的良率，先前技术会利用无胶胶带贴附于晶圆正面上以进行晶背研磨制程。无胶胶带的表面上具有多个纳米级凸起结构用以和晶圆正面之间产生凡得瓦力，以使无胶胶带能贴附于晶圆正面。为了避免无胶胶带上沾黏异物，无胶胶带在使用前会贴附一离型膜。然而，无胶胶带表面上的纳米级凸起结构有可能在贴附离型膜时受到损坏，进而影响到无胶胶带的功能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可简化制程及改善良率的无胶胶带的制造方法，以解决先前技术的问题。

本发明无胶胶带的制造方法包含提供一离型膜；提供一模具对该离型膜进行一热压印制程，以于该离型膜上形成多个凹陷结构；涂布一高分子材料于该离型膜上；以及对该高分子材料进行固化以形成一无胶胶带，其中该无胶胶带上形成有多个凸起结构对应于该多个凹陷结构，该离型膜是可从该无胶胶带剥离，该多个凸起结构用以和一物体之表面接触以产生凡得瓦力，而使该无胶胶带借由凡得瓦力贴附于该物体的表面上。

本发明一实施例中，提供该离型膜是提供聚丙烯或聚烯烃形成的离型膜。

本发明一实施例中，涂布该高分子材料于该离型膜上是涂布聚二甲基硅氧烷于该离型膜上。

本发明一实施例中，涂布该高分子材料于该离型膜上是涂布十八聚硬脂二甲基硅氧烷于该离型膜上。

本发明一实施例中，涂布该高分子材料于该离型膜上是涂布十六聚二甲基硅氧烷于该离型膜上。

本发明一实施例中，涂布该高分子材料于该离型膜上是涂布硬脂氢化聚二甲基硅氧烷于该离型膜上。

本发明一实施例中，该多个凸起结构的宽度与高度比是介于1：2和2：1之间。

本发明一实施例中，该多个凸起结构的宽度与高度分别介于100纳米和1000纳米之间。

本发明一实施例中，该多个凸起结构的底部之间的间隔是介于0纳米和2000纳米之间。

本发明一实施例中，该无胶胶带不包含黏着剂且该无胶胶带的表面未施加黏着剂。

相较于先前技术，本发明无胶胶带的制造方法是先对离型膜进行热压印，再于离型膜上涂布高分子材料以形成无胶胶带，因此本发明无胶胶带的制造方法不需要进行贴附离型膜于无胶胶带上的制程，不仅可以简化制程，也可以避免无胶胶带的凸起结构于贴附离型膜时受到损坏，进而改善无胶胶带的良率。

附图说明

图1是本发明无胶胶带的制造方法的示意图。