[发明专利]UB2薄膜在黑腔上的应用

权利要求书

1.一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于UB₂薄膜作为减散/防护层替代黑腔Au/B减散层和Au防护层应用于黑腔上。

2.根据权利要求1所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于利用UB₂薄膜作为减散/防护层的方法如下：通过直流磁控溅射沉积方法，以UB₂靶通过直流电源进行磁控溅射沉积，所述的UB₂靶纯度大于99％。

3.根据权利要求2所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于所述的直流磁控溅射沉积方法具体过程如下：

一、将1～10个芯轴安装在旋转支撑台上，调整UB₂靶与芯轴中心距离为5cm～20cm，UB₂靶面中心法线与芯轴所在平面呈45°夹角；

二、通过机械泵和分子泵抽真空使沉积室本底真空达到1×10^-8Pa～1×10^-6Pa，然后充入高纯氩气，并调节闸板阀使沉积室真空度维持在0.1Pa～1Pa，所述的高纯氩气的纯度为99.9999％；

三、利用低能离子束对芯轴表面刻蚀3min～20min，在利用低能等离子束对芯轴表面刻蚀的过程中旋转支撑台以1～30rpm自转；

四、UB₂靶与芯轴之间设有挡板，在UB₂靶直流电源功率为50W～400W下进行预溅射10min～30min；

五、打开UB₂靶与芯轴之间的挡板，在UB₂靶直流电源功率为50W～400W下沉积5min～480min，且沉积过程中旋转支撑台以1rpm～30rpm自转，即完成在芯轴表面利用直流磁控溅射方法沉积UB₂薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于利用UB₂薄膜作为减散/防护层的方法如下：通过双靶磁控溅射共沉积方法，以U靶通过直流电源、B靶通过射频电源进行溅射沉积，所述的U靶纯度大于99％，所述的B靶纯度大于99％。

5.根据权利要求4所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于所述的双靶磁控溅射共沉积方法具体过程如下：

一、将1个芯轴安装在旋转支撑台上，U靶和B靶相对于芯轴所在平面的法线呈对称分布，且靶面中心法线与芯轴所在平面呈45°夹角，调整U靶与芯轴中心距离为5cm～20cm，调整B靶与芯轴中心距离为5cm～20cm；

二、通过机械泵和分子泵抽真空使沉积室本底真空达到1×10^-8Pa～1×10^-6Pa，然后充入高纯氩气，并调节闸板阀使沉积室真空度维持在0.1Pa～1Pa，所述的高纯氩气的纯度为99.9999％；

三、利用低能离子束对芯轴表面刻蚀3min～20min，在利用低能等离子束对芯轴表面刻蚀的过程中旋转支撑台以1rpm～30rpm自转；

四、U靶、B靶与芯轴之间分别设有挡板，在U靶直流电源功率为40W和B靶射频电源功率为200W下进行预溅射10min～30min；

五、打开U靶、B靶与芯轴之间的挡板，在U靶直流电源功率为20～200W和B靶射频电源功率为100W～500W下沉积5min～480min，且沉积过程中旋转支撑台以1rpm～30rpm自转，即完成在芯轴表面利用双靶磁控溅射共沉积方法沉积UB₂薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于利用UB₂薄膜作为减散/防护层的方法如下：通过电子束蒸发方法，以UB₂为蒸发源进行蒸镀，所述的UB₂蒸发源的纯度大于99％。

7.根据权利要求6所述的一种UB₂薄膜在黑腔上的应用，其特征在于所述的电子束蒸发方法具体过程如下：

一、通过机械泵和分子泵抽真空使沉积室本底真空达到1×10^-5Pa～5×10^-4Pa；

二、打开电子枪对UB₂蒸发源进行预热5min～20min，电子束束流为25mA，电子束斑在坩埚中心部位做正弦运动；

三、在电子束束流为10mA～100mA，阳极电压为1kV～10kV，打开挡板，开始蒸镀，蒸镀时间为5min～360min，且蒸镀过程中旋转支撑台以15rpm自转；

四、在温度为300～900℃下对表面蒸镀UB₂薄膜的芯轴进行退火，退火时间60min，即完成在芯轴表面利用电子束蒸发方法镀制UB₂薄膜。