[发明专利]一种残压比低的压敏电阻器及其应用有效
| 申请号： | 201710272563.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN107082635B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 邱维军 | 申请（专利权）人： | 新昌县恩喜电器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;H01C7/112;H01C7/115;H01C7/105;H01C7/118 |
| 代理公司： | 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人： | 郑志强 |
| 地址： | 312500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压敏电阻 及其 应用 | ||
1.一种残压比低的压敏电阻器，其特征在于，由压敏电阻芯片、硅橡胶封层、绝缘封层、电极和电极引线组成，所述压敏电阻芯片，由以下重量份的物质组成：掺杂氧化锌80～95份、三氧化二铋0.2～0.75份、二氧化硅1.8-2.8份、二氧化钛0.35-0.45份、硫化镍0.36-0.45份、碳化硅0.08-0.15份、氮化锆0.03-0.08份、三氧化二锑0.3-0.5份、三氧化二钇0.05-0.15份、钛酸铜钙0.8-1.5份，所述掺杂氧化锌的掺杂元素为钒、镓、铟、铊、镁、铬、铁、锰、镍、铝、磷、氮、钒中的一种或多种元素，所述掺杂氧化锌的掺杂浓度为0.5-2at.％，所述掺杂氧化锌的粒径为10-50纳米。
2.如权利要求1所述的残压比低的压敏电阻器，其特征在于，所述压敏电阻芯片，由以下重量份的物质组成：掺杂氧化锌85-90份、三氧化二铋0.4-0.6份、二氧化硅2.02-2.46份、二氧化钛0.38-0.4份、硫化镍0.4-0.42份、碳化硅0.1-0.12份、氮化锆0.05-0.08份、三氧化二锑0.38-0.48份、三氧化二钇0.05-0.06份、钛酸铜钙0.8-1.2份。
3.如权利要求2所述的残压比低的压敏电阻器，其特征在于，所述压敏电阻芯片，由以下重量份的物质组成：掺杂氧化锌88份、三氧化二铋0.5份、二氧化硅2.32份、二氧化钛0.38份、硫化镍0.42份、碳化硅0.12份、氮化锆0.06份、三氧化二锑0.45份、三氧化二钇0.06份、钛酸铜钙1.05份。
4.一种如权利要求1～3任一所述的残压比低的压敏电阻器的应用，其特征在于，所述残压比低的压敏电阻器的适用于发电机的转子侧过压吸收以及整流励磁电源的直流侧过压吸收，适用于海拔高度小于两千米，大气压力86～106KPa，环境温度-40～+85℃的环境。
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