[发明专利]基于牺牲层的电极材料转移方法有效
申请号: | 201710272617.2 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN107068607B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 马晓华;孙静;王宏;宋芳;吴士伟;王湛 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 王品华;朱红星<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 牺牲 电极 材料 转移 方法 | ||
1.一种基于牺牲层的电极材料转移方法,包括如下步骤:
(1)选用亲水性源衬底并进行清洗,分别使用丙酮,异丙醇各超声3~5分钟,随后用去离子水冲洗,使用氮气枪吹干;
(2)采用电子束蒸发在源衬底上制备具有疏水性质的牺牲层样片;
(3)在牺牲层上滴2到3滴聚酰亚胺溶液,使其覆盖面积略大于样片表面积的一半,随后启动旋涂设备,使得聚酰亚胺溶液均匀的分散于衬片的表面,然后加热固化,取下样片;
(4)用细胶带贴住样片的四周边缘区域并将其固定在托盘上,采用溅射或电子束蒸发在样片上制备电极,工艺完成后将多余的胶带剪掉;
(5)在样片上滴2到3滴光刻胶聚甲基丙烯酸甲酯PMMA,将样片放在旋涂机上进行旋涂,使得光刻胶分散于样片表面,并在加热台上烘胶;
(6)将烘胶后的样片泡在水中,施以稍许应力,使牺牲层与源衬底迅速实现亲水性分离,再采用腐蚀剂对牺牲层进行腐蚀,腐蚀完成后,再用去离子水对有胶带支撑的薄膜进行冲洗,并用氮气吹干;
(7)将冲洗后的薄膜浸入40℃~50℃丙酮中3~5min,然后将其浸泡在异丙醇中1~3min,除去其表面的光刻胶,依次进行去离子水清洗和氮气枪吹干,使电极材料转移到聚酰亚胺薄膜上,且四周附有胶带的支撑不会卷曲;
(8)对准备好的目的衬底进行清洗;
(9)将附着有电极的聚酰亚胺薄膜粘附于目的衬底上,完成电极材料的转移。
2.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(2)中的牺牲层,其厚度280~300nm,以铜或镍为材料,利用电子束蒸发工艺在源衬底上制备形成。
3.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(3)中旋涂机旋涂聚酰亚胺液体,是先将初始旋涂转速设为450~500rpm,保持5~6s;随后将转速稳定到4500~5000rpm,保持40~45s。
4.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(3)中对旋涂聚酰亚胺溶液后的样片进行加热固化,是将样片先升温至100℃后,再在60~65分钟内缓慢升温至166℃,并保温25~30分钟后;再以2℃/min的速度缓慢升温至300℃,并保持10~30分钟,使聚酰亚胺薄膜固化在样片上。
5.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(4)中采用溅射或电子束蒸发在样片上制备电极,以金属钨或银为电极材料,电极钨采用溅射的方法制备,电极银采用电子束蒸发的方法制备。
6.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(5)中旋涂机旋涂光刻胶,是先将初始旋涂转速设为450~500rpm,保持5~6s;随后将转速稳定到3000rpm~3500rpm,保持40~45s。
7.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(5)中对旋涂光刻胶后的样片进行烘胶,是将旋涂光刻胶后的样片在设置为180℃的加热台上保温3~4分钟。
8.根据权利要求书1所述的方法,其中步骤(6)中对牺牲层进行腐蚀的腐蚀剂,是通过在45~50g的氯化铁溶质中添加450~500ml的去离子水配制而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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