[发明专利]三维半导体器件

权利要求书

1.一种三维半导体器件，包括：

电极结构，包括垂直地层叠在基板上的多个电极，

其中所述多个电极的每个包括：

电极部，平行于所述基板的顶表面并在第一方向上延伸；

垫部分，在相对于所述基板的所述顶表面的倾斜方向上从所述电极部延伸；和

突起，在平行于所述倾斜方向的方向上从所述垫部分的一部分突出并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有比所述垫部分的宽度窄的宽度，并且

其中所述垫部分和所述突起组成单个层，

其中所述多个电极的突起在所述第二方向上设置在从所述电极结构的一个侧壁起的不同距离处。

2.如权利要求1所述的三维半导体器件，

其中，当从平面图看时，所述多个电极的所述突起布置在所述第一方向的对角线方向上。

3.如权利要求1所述的三维半导体器件，

其中所述多个电极的所述突起的每个的顶表面设置在从所述基板起的彼此相同的高度处。

4.如权利要求1所述的三维半导体器件，

其中所述多个电极的每个的所述垫部分包括：

竖直垫部分，在平行于所述倾斜方向的方向上延伸并具有比所述电极部的宽度小的宽度；和

水平垫部分，在所述第二方向上从所述竖直垫部分的一部分延伸，并且

其中所述第二方向平行于所述基板的所述顶表面。

5.如权利要求1所述的三维半导体器件，

其中所述基板包括单元阵列区和连接区，并且

其中所述多个电极的每个的所述电极部包括：

子电极部，在所述单元阵列区上在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上彼此横向地间隔开；和

电极连接部分，在所述连接区上将所述子电极部水平地连接到彼此。

6.如权利要求1所述的三维半导体器件，其中每个所述电极还包括从所述垫部分突出并在所述第二方向上与所述突起间隔开的虚设突起。

7.如权利要求6所述的三维半导体器件，其中所述多个电极的所述虚设突起沿着所述第一方向布置。

8.如权利要求6所述的三维半导体器件，其中所述虚设突起在所述第二方向上的宽度彼此相等。

9.如权利要求6所述的三维半导体器件，其中所述虚设突起的顶表面位于与所述突起的顶表面相同的水平面处。

10.如权利要求6所述的三维半导体器件，其中所述虚设突起在所述第二方向上具有与所述垫部分的宽度不同的宽度。

11.一种三维半导体器件，包括：

电极结构，包括垂直地层叠在基板上的多个电极，

其中所述多个电极的每个包括：

电极部，平行于所述基板的顶表面并在第一方向上延伸；

竖直垫部分，在相对于所述基板的所述顶表面的倾斜方向上从所述电极部的一部分延伸；

突起，从所述竖直垫部分的第一部分垂直地突出，

其中所述多个电极中的直接相邻的电极的突起的顶表面设置在从所述基板起的彼此相同的高度处，

其中所述突起在所述第一方向上具有与所述竖直垫部分相同的宽度，

其中所述竖直垫部分和所述突起组成单个层，

其中所述多个电极的突起在垂直于所述第一方向的第二方向上设置在从所述电极结构的一个侧壁起的不同距离处。

12.如权利要求11所述的三维半导体器件，

其中，当从平面图看时，所述多个电极的所述突起布置在所述第一方向和所述第二方向的对角线方向上。

13.如权利要求11所述的三维半导体器件，其中所述竖直垫部分在所述第二方向上具有第一宽度，

所述突起在所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且

所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的所述顶表面。