[发明专利]一种读操作方法和装置

说明书

本发明实施例提供一种读操作方法和装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，方法包括以下步骤：接收读操作信号；向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。本发明实施例可以确保与选中字线相邻的非选中字线下的NAND FLASH存储单元串导通，避免了现有技术中误读的情况，有效提高了读操作的准确性。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种读操作方法和一种读操作装置。

背景技术

参照图1，现有技术中，在对NAND FLASH(闪存)进行读操作时，向选中字线施加一个低电压V_CGRV_A’，而向非选中字线施加一个高电压V_READ’，以使待读FLASH cell(存储单元)之外的其它FLASH cell都导通，从而能正确判断选中字线下待读FLASH cell的阈值。

现有技术中的读操作方式存在以下缺陷：由于NAND FLASH的工艺尺寸小，字线上的电压会对FLASH cell中的floating gate(浮栅)产生显著的coupling(耦合)效应。即对于与选中字线不相邻的非选中字线，非选中字线下FLASH cell的floating gate左右两侧均被V_READ’电压couple，非选中字线下FLASH cell的floating gate会被couple到一个比较高的电压。而如图1中箭头所示，对于与选中字线相邻的非选中字线下的FLASH cell，couple一侧的电压是低压V_CGRV_A’，与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压低于其他非选中字线下FLASH cell的floating gate电压，这可以看作抬高与选中字线相邻的非选中下的FLASH cell的阈值。如果与选中字线相邻的非选中下的pgm(被编程后的FLASH cell)cell本身的阈值电压比较高，而与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压不够高，则会导致与选中字线相邻的非选中字线的导通电阻大，与选中字线相邻的非选中下的pgm cell的导通电流很小，最终出现误读的情况。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种读操作方法和相应的一种读操作装置，以解决现有技术中的读操作方式会造成与选中字线相邻的非选中字线下的floating gate被couple的电压低，而出现误读的情况的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种读操作方法，应用于包括多个字线的NAND FLASH，包括以下步骤：

接收读操作信号；

向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压；所述第一电压小于所述第二电压，所述第二电压小于所述第三电压；

读取所述读操作信号对应存储单元中的数据。

具体地，所述第三电压根据所述第一电压、所述第二电压和NAND FLASH存储单元的特性确定。

可选地，所述向所述读操作信号对应的选中字线施加第一电压，向与所述选中字线不相邻的非选中字线施加第二电压，以及向与所述选中字线相邻的非选中字线施加第三电压同时进行。

可选地，读操作方法还包括：

接收电压调整信号；

根据所述电压调整信号调整所述第三电压的大小。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种读操作装置，应用于包括多个字线的NAND FLASH，包括：

第一信号接收模块，用于接收读操作信号；