[发明专利]一种硅片定向及位置补偿的方法在审
申请号: | 201710273834.3 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN108735644A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 田龙 | 申请(专利权)人: | 北京中科信电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 101111 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 位置补偿 运动控制模块 定向模块 工控机 图像识别模块 补偿信息 控制传输模块 传输模块 定向功能 分析处理 硅片图像 角度补偿 软件程序 图像信息 上传 算法 | ||
1.一种硅片定向及位置补偿的方法,包括:工控机(1)、运动控制模块(2)、图像识别模块(3)、定向模块(4)、传输模块(5)。图像识别模块(3)获取位于定向模块(4)上的硅片图像信息,并对此图像信息进行分析处理得到硅片的轴线及notch信息,再通过算法得出硅片所需的定向角度补偿及位置补偿信息,并将上述补偿信息上传工控机(1),工控机(1)通过相应软件程序将补偿信息传到运动控制模块(2),运动控制模块(2)分别控制定向模块(4)完成硅片的定向功能,控制传输模块(5)实现硅片的位置补偿功能。
2.如权利要求1所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:通过图像识别模块(3),获取所需定向硅片的图像信息,并对此图像进行分析处理得到硅片所需的定向角度补偿及位置补偿信息。
3.如权利要求1所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:图像识别模块(3)将补偿信息上传给工控机(1),工控机(1)通过软件程序控制运动控制模块(2)进行相应控制补偿。
4.如权利要求1所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:图像识别模块(3)通过图像获取、图像分析、补偿算法分析,得到定向角度补偿及位置补偿量。
5.如权利要求4所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:补偿算法组成为(8)为基准硅片位置,(9)为定向模块上实际的硅片位置,基准硅片(8)的圆心A与其notch(10)中心间的直线定义为基准轴线(6),同理定义实际硅片(9)的轴线(7)。基准轴线(6)轴线(7)的夹角θ,即为定向所需补偿角度。基准硅片(8)与实际硅片(9)圆心的距离记为辅以定向补偿角度即可得到位置校准量
6.如权利要求3所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:运动控制模块(2)控制定向模块(4)完成硅片的角度补偿,即实现定向功能。
7.如权利要求3所述的一种硅片定向及位置补偿的方法,其特征在于:运动控制模块(2)控制传输模块(5)完成硅片的位置补偿。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造