[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基底，包括第一区以及与所述第一区相连的第二区；

第一掺杂区(D)，具有第一导电型，位于所述基底中，包括：

第一螺旋状区域，在所述第一区中；

块状区域，在所述第二区中，与所述第一螺旋状区域连接；

第二掺杂区(S)，具有所述第一导电型，位于所述基底中，包括：

第二螺旋状区域，在所述第一区中，夹于所述第一螺旋状区域之中；

外围区域，在所述第一区以及所述第二区的边缘，环绕所述第一螺旋状区域与所述块状区域，且与所述第二螺旋状区域连接；

隔离结构，设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；以及

栅极结构，设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间且覆盖部分的所述基底及部分的所述隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述第一螺旋状区域以及所述第二螺旋状区域的形状各自为方形螺旋状区域、圆形螺旋状区域或椭圆形螺旋状区域。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中：

所述第一螺旋状区域包括彼此相连的多个第一直线区域及多个第一弯曲区域；以及

所述第二螺旋状区域包括彼此相连的多个第二直线区域及多个第二弯曲区域，

其中所述多个第一直线区域与所述多个第二直线区域交替设置；所述多个第一弯曲区域与所述多个第二弯曲区域交替设置。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中：

所述第一螺旋状区域中最接近所述第一区边缘的所述第一直线区域与所述块状区域连接；以及

所述第二螺旋状区域中最接近所述第一区与所述第二区交界面的所述第二直线区域与所述外围区域连接。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述第一螺旋状区域的第一起始部与所述第二螺旋状区域的第二起始部彼此相扣。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述第一螺旋状区域的所述第一起始部呈U型与倒U型其中之一；所述第二螺旋状区域的所述第二起始部呈U型与倒U型其中之另一。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其中：

在所述第一区中的所述隔离结构包括：

中心区，呈S型，位于所述第一螺旋状区域的所述第一起始部与所述第二螺旋状区域的所述第二起始部之间；

双螺旋区，环绕在所述中心区的外围；以及

连接区，呈L型，连接所述中心区与所述双螺旋区，

其中所述连接区的第一端连接所述中心区的第一端，所述连接区的第二端连接所述双螺旋区的第二起始端，所述双螺旋区的第一起始端连接所述中心区的第二端；以及

在所述第二区中的所述隔离结构包括：

环绕区，环绕所述块状区域，所述环绕区的第一端连接所述双螺旋区的第一末端，所述环绕区的第二端连接所述双螺旋区的第二末端。

8.如权利要求3所述的半导体元件，还包括导体层，设置于所述栅极结构的上方且与所述第二掺杂区电性连接，其中所述导体层至少自所述第二掺杂区的上方延伸至部分所述隔离结构的上方，其中设置于所述第二掺杂区的所述第二弯曲区域上的所述导体层的宽度大于设置于所述第二掺杂区的所述第二直线区域上的所述导体层的宽度。

9.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

第一阱区，具有第二导电型，设置于所述基底中，其中所述第二掺杂区设置于所述第一阱区中，且所述栅极结构覆盖部分的所述第一阱区；

第二阱区，具有所述第一导电型，设置于所述基底中，其中所述第一阱区与所述第一掺杂区设置于所述第二阱区中；

第三阱区，具有所述第一导电型，设置于所述基底中且与所述第二阱区相邻；

第三掺杂区，具有所述第二导电型，设置于所述第一阱区中且与所述第二掺杂区相邻；以及

第四掺杂区，具有所述第二导电型，设置于所述第三阱区中。

10.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

顶层，具有第二导电型，设置于所述隔离结构下方的所述基底中；以及

梯层，具有所述第一导电型，设置于所述隔离结构与所述顶层之间。