[发明专利]一种花篮输送线及其输送方法有效
申请号: | 201710277348.9 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107248502B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 周佑丞;谢振勇;张宇;朱辉;吴得轶 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;徐好 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 花篮 输送 及其 方法 | ||
本发明公开了一种花篮输送线,包括上道输送线、下道输送线及转角输送线,上道输送线和下道输送线交叉布置,转角输送线和下道输送线的输送方向相同且转角输送线高度比上道输送线低,转角输送线两端分别位于上道输送线和下道输送线内,转角输送线配置有顶升机构,转角输送线上对应于上道输送线和下道输送线的过渡处设有用于上升时避让上道输送线的下凹部。其输送方法包括步骤:花篮沿上道输送线传输至转角输送线上方;顶升机构带动转角输送线上升,花篮传输至转角输送线上;转角输送线启动,花篮往下道输送线传输;花篮传输至下道输送线上方,顶升机构带动转角输送线下降,花篮传输至下道输送线上。本发明具有接触间隙小、传输平稳、碎片率低等优点。
技术领域
本发明涉及太阳能电池输送技术,尤其涉及一种花篮输送线及其输送方法。
背景技术
太阳能电池是将太阳能转变为电能的原件,它是以硅片为衬底材料,通过一系列加工工序后得到的产品。其工艺流程是:硅片清洗——表面制绒——扩散掺杂——刻蚀——表面钝化——电极印刷——烧结——测试分选,通过花篮实现各工序之间硅片的流转,花篮使用时需要先将硅片分别插入花篮上的卡槽,然后将花篮装上托盘,通过输送线传送至下道工序。硅片易碎的特性决定了其对花篮传送过程中的平稳性提出了较高的要求。
由于工艺以及厂房设备布局的需要,输送线之间往往会交叉形成转角,目前的转角过渡方案大多是在上道输送线的末端安装一套带顶升功能的转角输送线,当花篮托盘行进到位,顶升机构顶起转角输送线,然后转角输送线启动传送花篮至下道输送线。现有的这种转角输送线结构简单,但转角输送线与下道输送线之间的接触间隙比较大,导致花篮重心不稳;且两段输送线之间存在落差和宽度差,花篮在行进过程中会因两段输送线速度不匹配及偏心转矩等因素导致传输平稳性较差,从而导致硅片的碎片率上升,经济效益差。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种结构简单、接触间隙小、高差小、传输平稳、碎片率低的花篮输送线。
本发明进一步提供该花篮输送线的输送方法。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种花篮输送线,包括上道输送线、下道输送线及转角输送线,所述上道输送线和所述下道输送线交叉布置,所述转角输送线和所述下道输送线的输送方向相同,且转角输送线高度比所述上道输送线低,所述转角输送线一端位于上道输送线内,另一端位于所述下道输送线内,所述转角输送线配置有顶升机构,所述转角输送线上对应于上道输送线和下道输送线的过渡处设有用于上升时避让上道输送线的下凹部。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述转角输送线包括安装座、主动轴、从动轴、主动轴驱动总成、输送皮带及用来在输送皮带上形成下凹部的下凹总成,所述主动轴和所述从动轴安装于所述安装座上,所述主动轴驱动总成与所述主动轴连接,所述输送皮带绕设于所述主动轴和所述从动轴上,所述顶升机构与所述安装座连接。
所述下凹总成包括下压轮及两个张紧轮,沿所述输送皮带的输送方向,两个张紧轮分设于所述下压轮两侧,两个张紧轮之间的输送皮带为下凹状,靠近主动轴的张紧轮与主动轴之间的输送皮带、以及靠近从动轴的张紧轮与从动轴之间的输送皮带均为水平状。
所述顶升机构包括顶升气缸、底板、一对导向轴及一对导向轴承,所述顶升气缸和一对导向轴安装于所述底板上,顶升气缸的活塞杆与所述安装座连接,一对导向轴相对布置于顶升气缸的两侧,一对导向轴承安装于所述安装座上并与一对导向轴一一对应设置。
所述底板上还设有上道输送线支撑板,所述上道输送线支撑板穿过所述安装座并与所述上道输送线的下表面紧贴。
一种上述的花篮输送线的输送方法,包括以下步骤:
S1:花篮沿上道输送线传输至转角输送线上方;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造