[发明专利]简易倒装高压LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述倒装高压LED芯片A由m个所述芯片单元区域A1、A2······Am首尾串联而成，其中，n≥2，2≤m≤n；

S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；

S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)和N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；

S4：刻蚀所述隔离沟槽(1002)至其底部暴露所述透光衬底(1001)的上表面以形成隔离道(1005)；

S5：制作由第一电流阻挡层(1006)、第二电流阻挡层(1007)和第三电流阻挡层(1008)组成的电流阻挡层，所述第一电流阻挡层(1006)的覆盖各所述A中各所述A1的部分N电极沟槽(1003)底部；所述第二电流阻挡层(1007)正对所述第一电流阻挡层(1006)设置且覆盖部分各所述Mesa平台(1004)；所述第三电流阻挡层(1008)覆盖相邻两个所述芯片单元区域之间的部分所述隔离道(1005)；

S6：形成欧姆接触层(1009)，所述欧姆接触层(1009)位于各所述Mesa平台(1004)正上方并覆盖各所述第二电流阻挡层(1007)；

S7：制作由第一电流扩展引线(1010)、第二电流扩展引线(1011)和第三电流扩展引线(1012)组成的电流扩展引线，所述第一电流扩展引线(1010)位于各所述A中各芯片单元区域的N电极沟槽(1003)正上方并覆盖所述第一电流阻挡层(1006)；所述第二电流扩展引线(1011)正对所述第一电流扩展引线(1010)设置并覆盖位于所述第二电流阻挡层(1007)正上方的欧姆接触层(1009)；所述第三电流扩展引线(1012)位于所述第三电流阻挡层(1008)正上方并覆盖部分所述第三电流阻挡层(1008)；

S8：制作覆盖各所述N电极沟槽(1003)、所述Mesa平台(1004)、所述欧姆接触层(1009)、所述第三电流阻挡层(1008)、所述电流扩展引线以及所述隔离道(1005)的隔离反射层(1013)；

S9：图形化所述隔离反射层(1013)以形成所述A的P导电通道(1014)和N导电通道(1015)；

S10：制作分别覆盖各所述P导电通道(1014)和各所述N导电通道(1015)的P焊垫(1016)和N焊垫(1017)；

S11：将各所述A制作成chip。

2.根据权利要求1所述的简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层自下而上依次为缓冲层Buffer(1018)、N型半导体层N-GaN(1019)、发光层MQW(1020)和P型半导体层P-GaN(1021)。

3.根据权利要求2所述的简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述S3中，所述隔离沟槽(1002)位于各所述芯片单元区域的边缘四周，所述N电极沟槽(1003)位于各所述芯片单元区域的N电极位置，每个所述芯片单元区域中除所述隔离沟槽(1002)和所述N电极沟槽(1003)以外的区域为所述Mesa平台(1004)，相邻两个所述芯片单元区域中的所述Mesa平台(1004)之间由所述隔离沟槽(1002)隔开。

4.根据权利要求2所述的简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述隔离沟槽(1002)和所述N电极沟槽(1003)的底部均位于所述N-GaN(1019)的上下表面之间。

5.根据权利要求1所述的简易倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述S5中，所述第一电流阻挡层(1006)的边缘与对应的所述N电极沟槽(1003)边缘之间具有第一预设间距d1；

和/或，在所述S6中，各所述欧姆接触层(1009)的边缘至对应的所述Mesa平台(1004)的边缘具有第二预设间距d2；

和/或，在所述S7中，所述第一电流扩展引线(1010)的边缘与对应的所述N电极沟槽(1003)边缘之间具有第三预设间距d3；

和/或，在所述S7中，所述第二电流扩展引线(1011)的边缘与对应的所述第二电流阻挡层(1007)的边缘之间具有第四预设间距d4；

和/或，在所述S10中，所述P焊垫(1016)和所述N焊垫(1017)之间具有第五预设间距d5。